国家/地区 美国（72） 韩国（60） 世界知识产权组织（47） 中国（42） 日本（42） 欧洲专利局（EPO）（31） 印度（10） 台湾（8） 墨西哥（7） 俄罗斯（7） 新加坡（6） 巴西（5） 西班牙（5） 加拿大（3） 德国（3） 法国（3） 香港（3）
IPC部 B（93）
IPC大类 C01（93） B82（82） H01（57）
B32（34） C23（23） B05（18）
B01（15） C08（12） C09（10）
C07（9） C30（8） C25（7）
B44（5） B29（4） C03（4）
IPC小类 C01B（93）
IPC C01B031/02（93）
发明人 CHOI J Y（8） CHOI J（7） SHIN H J（6）
HONG B H（5） SHIN H（5） AHN J（4）
BAE S K（4） CHOI W（4） CHOI W M（4）
CHUNG H（4） CHUNG H J（4） FAN S（4）
HEO J（4） HEO J S（4） JIANG K（4）
公开年 2011（93）
申请年 2010（43）  2011（31）  2009（19） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（14） UNIV SUNGKYU.（9） UNIV SUNGKYU.（5） GUARDIAN GLA.（4）
GUARDIAN IND（4） GUARDIAN IND.（4） HON HAI PREC.（4） HONGFUJIN PR.（4）
KOREA INST S.（4） UNIV TSINGHU.（4） GRAPHENE SQU.（3） ABDELSAYED V（2）
AHN J（2） ALOTHMAN Z A.（2） BAE S（2） BAYER TECHNO.（2）
CENT NAT REC.（2） ELSHALL M S（2） FUJI ELECTRI.（2） FUJI ELECTRI.（2）

Manufacture of graphene involves using face centered cubic metal catalyst with single oriented texture.

CHA S W, HONG B H, HONG S Y, JUNG M H, KIM K E, KIM K H, MAENG K S, PARK C W, PARK S B

Cross-type graphene hetero-junction structure is formed by attaching primary graphene on substrate, coating polymethyl methacrylate to graphene, baking, separating polymethyl methacrylate layer, and aligning layer on secondary graphene.

LEE S W, KIM J S

Manufacturing method of graphene transfer film involves applying air pressure to at least one of graphene growth film and carrier film so that graphene and carrier film are attached to each other.

CHO S, SONG Y, CHO S H, SONG Y I

Forming graphene used in e.g. bioanalytics involves providing graphite sample having atomic layers of carbon; introducing solvent and ions into spaces between the atomic layers; expanding space; and separating the layers using driving force.

LOH K P, WANG J, JUNZHONG B, LOH K, LUO J, ZUNZHONG W

Forming graphene thin films/functionalized graphene coatings, comprises providing conducting substrate and electrophoretically forming graphene or functionalized graphene using solution comprising e.g. exfoliated graphene sheets.

BANERJEE S, WHITTAKER L, LEE V, WHITAKER L

Graphene composition, useful in electrical device, preferably e.g. sensor, bipolar junction transistor, field effect transistor and light emitting diode, comprises a graphene monolayer and an alkali metal disposed on the graphene monolayer.

SHIN H, CHOI J, AHN J, JEON C, AHN J R, CHOI J Y, JEON C H, SHIN H J

New graphene comprising a structure of carbon atoms partially substituted with boron atoms and nitrogen atoms, where the graphene has a band gap, useful in a channel of a transistor.

LEE S, SEO S, WOO Y, CHUNG H, HEO J, LEE S H, SEO S A, WOO Y S, CHUNG H J, HEO J S, HUN L S

New functionalized graphene compound comprising graphene and fluorine having specific fluorine to carbon ratio used as structural material, electronic component, optical component, magnetic component or coating.

GEIM A, RAVEENDRANNAIR R, NOVOSELOV K, RAEBINDEURAN N R, RAVEENDRAN N R

Manufacture of reduced graphene oxide for manufacturing reduced graphene-polymer composite, involves treating graphite with strong acid, mixing with halogen-substituted aromatic compound and stirring.

KU B C, PARK O K, LEE S H, NA S I, JO H I, KIM J K, LEE J H, KU B, PARK O

Super hydrophobic graphene, has surface part in which multiple cylindrical projections are formed, where one of projections occupies 20 percent of graphene in total body surface area.

CHOI J Y, HAN G H, LEE Y H, SHIN H J