国家/地区 韩国（228）
IPC部 B（228）
IPC大类 C23（228）
IPC小类 C23C（216） C01B（175） B82Y（86）
B01J（72） B32B（64） H01L（64）
B05D（50） H01B（33） B82B（21）
C30B（21） C23F（20） H01M（20）
B22F（12） C09D（12） C25D（11）
IPC C23C016/26（127） C01B031/02（101） C01B031/04（96）
B82Y040/00（74） B82Y030/00（69） C01B032/186（43）
C23C016/02（34） B32B009/00（31） C23C016/56（28）
C01B032/194（26） H01B001/04（26） B01J019/08（22）
C01B032/182（20） H01L021/02（20） B82B003/00（19）
发明人 HONG B H（17） CHOI J（13） CHOI J Y（9）
KIM H（9） LEE J（9） SHIN H（9）
AHN J（8） SHIN H J（8） KIM H K（7）
KIM J（7） KIM J S（7） LEE S（7）
BAE S K（6） HONG B（6） JUNG Y G（6）
公开年 2012（30） 2011（28） 2013（28） 2021（27） 2016（21） 2014（20） 2015（19） 2022（12） 2017（10） 2018（8） 2023（8） 2010（6） 2020（5） 2009（3） 2019（3）
申请年 2012（35）  2011（32）  2020（24）  2013（20）  2016（20）  2015（18）  2010（17）  2014（14）  2021（12）  2022（9）  2009（8）  2017（6）  2019（6）  2008（3）  2018（3） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（25） UNIV SUNGKYU.（20） UNIV SUNGKYU.（13） HANWHA TECHW.（12）
SAMSUNG TECH.（11） GRAPHENE SQU.（10） UNIV SUNGKYU.（10） KOREA ADV IN.（8）
KOREA ADVANC.（8） KOREA INST S.（7） POSCO（7） HONG B H（6）
LEE Y T（6） HANWHA AEROS.（5） AHN J（4） GUARDIAN GLA.（4）
GUARDIAN IND（4） GUARDIAN IND.（4） JX NIPPON MI.（4） NIPPON MININ.（4）

Wrinkle flattening unit for flattening wrinkles present in graphene composite structure, has rotation portion that comprises outer rotation unit having multiple suction holes communicating with branch passage and supporting one surface of composite structure.

CHO S M, CHO M G, OH H G, CHO M, OHHONGGI

Antibacterial bag for storing seeds, has main body whose upper portion is provided with substrate, and oxidation inhibitory layer for suppressing oxidation of antibacterial layer that is formed with accommodation space.

PARK C Y, NA C S, SHIN W, KIM J H, KIM K M, PARK C, CHOI M G, JEONG S K

Chuck assembly used in semiconductor device fabrication system, comprises chuck base includes lower base and upper base that is on lower base, ceramic plate on upper base, and isolator ring enclosing outer sidewall of lower base.

JUNG U, SHIN M, SUNG D, NA D, KIM D, KIM K, JEONG S, JUNG S H, KIMKYUNGSUN, KIM D W, SUNG D Y, SU S M, JUNGUNGYO

Metal particles used in adhesive paste or solder paste for composite bonding structure for semiconductor device, comprises core including metal and shell on surface of core, where shell comprises metal and nanoparticles.

CHU K, LEE J, JUNGHOON L, CHU K M

Manufacturing electrostatic self-assembled silicon/reduced graphene oxide (rGO)/carbon nanofibers composite as anode materials for lithium-ion battery, involves obtaining silicon (Si)-(3-aminopropyl)triethoxysilane (APTES) solution by adding predetermined silicon nanoparticles to piranha solution.

CONG R, LEE C S, LEECHANGSUP, FEMALE T

Device for coating graphene on surface of metal material, has graphene supply pump transferring graphene to inner chamber through graphene supply line, and graphene recovery pump transferring graphene to graphene storage unit.

IMKIHYUN, LEE J H, SANG L J

Apparatus for coating graphene on surface of metal material, has graphene recovery pump that is provided for transferring graphene to graphene storage unit through graphene recovery line.

IMKIHYUN, LEE J H, SANG L J

Method of forming nano crystalline graphene, involves arranging substrate having pattern in reaction chamber, injecting reaction gas into reaction chamber, reaction gas including carbon source gas, inert gas, and hydrogen gas that are mixed, generating plasma of reaction gas in reaction chamber.

LEE C, JUNG A, SHIN H, SHIN K, SHIN K W, SHIN H J, JUNG A R, LEE C S

Carbon steel material useful for heat sink in electrical and electronic devices comprise carbon steel substrate, and reduced graphene oxide coating layer formed on the carbon steel substrate.

DOW H S

Metal-graphene composite comprises metal layer and graphene layer provided by growing directly on one surface of metal layer, where graphene layer contains two and/or more graphene thin, metal layer is copper, nickel, cobalt, iron, manganese, chromium, vanadium, titanium, platinum, gold and aluminum.

KIM D J, HONG B H, WOO Y S, KIM D, YU Y S