国家/地区 世界知识产权组织（45）
IPC部 B（45）
IPC大类 B82（36） H01（31） C01（26）
B32（11） C23（11） B01（10）
C08（9） B05（8） C09（6）
B29（4） C07（4） B22（3）
B44（3） B23（2） B41（2）
IPC小类 B82Y（33） C01B（26） H01B（16）
H01L（16） B32B（11） B82B（11）
C23C（11） B05D（8） C08K（7）
B01J（6） B01D（5） C08J（5）
C08L（5） H01M（5） B29C（4）
IPC B82Y030/00（28） B82Y040/00（22） C01B031/02（21）
C01B031/04（21） H01B001/04（13） B82B003/00（9）
B82B001/00（7） C01B031/00（7） B32B009/00（6）
B82Y099/00（6） C08K003/04（6） C23C016/26（6）
H01L029/16（5） H01L029/786（5） H01L029/06（4）
发明人 AHN J（3） HONG B H（3） KIM H K（3）
KIM J E（3） KIM T（3） BAE S（2）
BAE S K（2） CASALINI A（2） FELISARI R（2）
GANG B S（2） GEUN K H（2） HUI H B（2）
HYEON A J（2） JANG H（2） JANG S（2）
公开年 2011（45）
申请年 2010（45）
专利权人 UNIV SUNGKYU.（4） GRAPHENE SQU.（3） AHN J（2） BAE S（2）
HONG B H（2） IBM UK LTD（2） INT BUSINESS.（2） KIM H K（2）
KOREA ADV IN.（2） KOREA ADVANC.（2） POLIMERI EUR.（2） SUH K S（2）
UNIV TEXAS S.（2） VERSALIS SPA（2）

Apparatus for sensing photons comprises photon sensing layers, which consists of graphene, arranged on top of each other and intermediate layer between each adjacent sensing layers.

VOUTILAINEN M, ROUVALA M, PASANEN P

FET formation by depositing channel material comprising graphene or nanostructure on substrate, depositing contact material over channel material, gate, and spacers, and patterning contact material to form self-aligned contact for FET.

CHANG J, LAUER I, SLEIGHT J, CHANG J B

Composition, useful in e.g. high speed transistors, electronic devices, sensors, solar cells, optoelectronic devices, logic devices, ultra capacitors, and actuators, comprises unaffixed graphene particulates.

BERRY V, MOHANTY N, MOORE D S

Electrostatic production of graphene from graphite by initial charging of graphite crystal to several million volts.

KOGAN A Y

New composite catalyst comprising nanoparticles of metal (e.g. titanium) oxide attached to graphene or reduced graphene oxide platelets, useful in e.g. organic synthesis and degradation of inorganic and organic pollutants in water and air.

MAGALHAES MENDES A M, PACHECO TANAKA D A

Semiconductive polyolefin composition, useful in an article including semiconductive layer of a power cable, comprises an olefin polymer base resin, and graphene nanoplatelets.

SVANBERG C, PHAM T, MALIK M A, COSTA F, LIU Y, UEMATSU T, GKOURMPIS T, MALIK M, SVANBERG CH

Aluminum alloy material for preparing back plate, comprises aluminum alloy raw material containing specified range of graphene, carbon nanotube and aluminum.

XIAO D, RAO Q, ZHANG R, CHENG M, CHANG R R, CHERNG M

Reducing agent used for manufacturing reduced graphene oxide for, e.g. semiconductors, comprises reducing agent with halogen element, preferably hydrogen iodide, and acid, with acidity of acid being weaker than that of reducing agent.

LEE H Y, LEE J H, MOON I K

Roll-to-roll doping method for large-area graphene area, involves passing graphene film through doping solution that contains dopant or dopant vapor for doping graphene film.

AHN J, BAE S, HONG B H, KIM H K, BAE S K, GANG B S, GEUN K H, HUI H B, HYEON A J

New chelating agent modified graphene oxide useful e.g. in solar cells and to produce metal catalysts, to remove metal ions (e.g. nickel, mercury, cadmium, copper and cobalt) for producing drinking water, and to produce lithium ion battery.

HOU S