国家/地区 | 美国(11) 中国(10) 日本(10) 世界知识产权组织(9) 欧洲专利局(EPO)(8) 台湾(8) 韩国(7) 新加坡(4) 以色列(3) 澳大利亚(2) 加拿大(2) 德国(2) 香港(2) 印度(2) 墨西哥(2) |
IPC部 |
C(13)![]() |
IPC大类 |
C01(13)
B82(10)
H01(7)
B01(4) C25(3) B32(2) C07(2) C08(2) C09(2) C22(2) |
IPC小类 |
C01B(13)![]() |
IPC |
C01B032/20(13)![]() |
发明人 |
NOMOTO K(3)
KOKUNI T(2)
NAGATA T(2)
OGUNI T(2) OSADA T(2) TAKEUCHI T(2) YUGAWA M(2) YUKAWA M(2) |
公开年 | 2013(8) 2012(3) 2014(2) |
申请年 |
2012(13)![]() |
专利权人 | SEMICONDUCTO.(4) |
FLYUNT R, KNOLLE W, ABEL B, RAUSCHENBACH B
BERGER A, WOLFRUM C, SCHNEIDER A, GOEBELT B, GOBELT B
BLANKENBURG S, CAI J, FASEL R, FENG X, MUELLEN K, PASSERONE D, PIGNEDOLI C, RUFFIEUX P, MULLEN K, PIGNEDOLI C A, TSAI J, CAI Y
STETSON J B, MERCURIO J, ROSENWINKEL A, BEDWORTH P V, FLEMING S P, WESTMAN A L
TODORIKI H, SAITO Y, KAWAKAMI T, NOMOTO K, YUKAWA M, TODOROKI H, YUGAWA M, YONEDA Y
JIN B, LI N, LEE J, KIM P
NOMOTO K, INOUE N, YUKAWA M, IKENUMA T, YUGAWA M