国家/地区 日本（5）
IPC部 C（5）
IPC大类 C30（5） C01（4） C23（3）
H01（3） B82（2）
IPC小类 C30B（5）
IPC C01B031/02（4） C30B029/02（3） H01L021/20（3）
C30B025/18（2） C30B029/68（2） H01L021/02（2）
H01L021/205（2） H01L029/06（2） H01L033/00（2）
发明人 FAN F Y（2） FAN S（2） GI Y（2）
WEI Y（2）
公开年 2013（5）
申请年 2012（5）
专利权人 HON HAI PREC.（2） HONGFUJIN PR.（2） UNIV TSINGHU.（2）

Method for manufacturing epitaxial structure of e.g. LED, involves forming graphene layer on epitaxial growth surface, and epitaxially growing epitaxial layer on epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Epitaxial structure comprises substrate having patterned epitaxial growth surface defining grooves, graphene layer covering patterned epitaxial growth surface, and epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Low-temperature formation of graphene on surface of silica carbide e.g. used in medical field, involves forming silicon dioxide film on surface of silicon carbide, segregating carbon atom, removing oxidized film and heat treating.

ARIMA K, SANO Y

Preparing a semiconductor substrate, useful for forming a multilayer article, comprises forming a metal film on the substrate, contacting metal film surface with a carbon-containing gas and precipitating carbon atoms to form graphene layer.

SEACRIST M R, BERRY V

Production of graphene involves supplying carbon to heated transition metal surface, and forming graphene on buffer thin-film epitaxially grown on nickel substrate.

FUJII T, SATO M