| 国家/地区 | 美国(7) 中国(5) 日本(5) 世界知识产权组织(5) 韩国(3) 台湾(3) 印度(2) |
| IPC部 |
C(11)
|
| IPC大类 |
C01(11)
|
| IPC小类 |
C25D(11)
C01B(10)
B82Y(6)
H01M(6) H01L(4) C23C(3) B01J(2) C01G(2) C04B(2) H01B(2) |
| IPC |
C25D013/02(11)
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| 发明人 |
KOKUNI T(2)
NAGATA T(2)
OGUNI T(2)
OSADA T(2) TAKEUCHI T(2) ZHANG Z(2) |
| 公开年 | 2022(3) 2012(2) 2021(2) |
| 申请年 | 2012(3) 2022(3) 2021(2) |
| 专利权人 | SEMICONDUCTO.(2) |
WEI G, DI P, MA L, DU L, ZANG Y, ZHANG Z, LIU X, NIU X
KONG X, JIAO Y, ZHANG J, ZHANG Z
YUBAKUMA R, MOUSE R, FRANKLIN M I, HONG S, BELOTAFILLAI D, YUVAKKUMAR R, RAVI G, ISACFRANKLIN M, DHAYALAN V
YE N, KUBO T, SHIMIZU T
LI A W, HUNT J H, HOWE W R
OGUNI T, OSADA T, TAKEUCHI T, KOKUNI T, NAGATA T
OGUNI T, OSADA T, TAKEUCHI T, NOMOTO K, KOKUNI T, NAGATA T
