国家/地区 美国（30） 韩国（21） 世界知识产权组织（18） 欧洲专利局（EPO）（13） 日本（12） 中国（11） 西班牙（5） 印度（5） 台湾（4） 俄罗斯（3） 加拿大（2） 德国（2） 墨西哥（2） 新加坡（2）
IPC部 B（30）
IPC大类 B32（30）
IPC小类 B32B（30） B82Y（30） C01B（27）
B05D（16） H01B（15） H01L（13）
B82B（10） C23C（10） C09D（5）
B44C（4） C08K（4） H01M（4）
B29C（3） C07C（3） C30B（3）
IPC B82Y030/00（30）
发明人 CHOI J（6） CHOI J Y（5） AHN J（4）
HONG B H（4） KIM H K（4） SHIN H（4）
SHIN H J（4） BAE S K（3） CHOI W（3）
CHOI W M（3） BAE S（2） GANG B S（2）
GEUN K H（2） HAN T H（2） HONG B（2）
公开年 2011（30）
申请年 2010（14）  2011（14）  2009（2） 
专利权人 UNIV SUNGKYU.（6） SAMSUNG ELEC.（5） GRAPHENE SQU.（3） HONG B H（3）
KIM H K（3） AHN J（2） BAE S（2） BAE S K（2）
BASF SE（2） SAMSUNG TECH.（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Method for transferring graphene from graphene forming structure onto desired object e.g. circuit substrate, involves separating oxide layer from metal catalyst layer and removing metal catalyst layer by using etching solution.

CHO S, WON D, CHO S H, WON D K

Graphene composition, useful in electrical device, preferably e.g. sensor, bipolar junction transistor, field effect transistor and light emitting diode, comprises a graphene monolayer and an alkali metal disposed on the graphene monolayer.

SHIN H, CHOI J, AHN J, JEON C, AHN J R, CHOI J Y, JEON C H, SHIN H J

Forming graphene nano ribbon used in display device involves depositing graphene sheet on surface of substrate, forming plasma mask with nano pattern on sheet, and forming nano pattern in sheet by plasma treating stack structure having mask.

SHIN H, CHOI J, LEE Y, HAN G, CHOI J Y, HAN G H, LEE Y H, SHIN H J

Nanoparticles, useful in electrochemical cells and supercapacitors for storing and/or releasing lithium ions, comprise component A of metals, semimetals, metal compounds or semimetal compounds e.g. lithium cobalt oxide, and graphene coating.

IVANOVICI S, YANG S, FENG X, MUELLEN K, MULLEN K

Film, useful in semiconductor devices for displays devices and field effect transistors, comprises a base layer having amino groups, and a reduced graphene oxide layer formed on the base layer.

KOBAYASHI T, TOSHIYUKI K

Composition, useful in e.g. high speed transistors, electronic devices, sensors, solar cells, optoelectronic devices, logic devices, ultra capacitors, and actuators, comprises unaffixed graphene particulates.

BERRY V, MOHANTY N, MOORE D S

Preparation of graphene-type conductive material involves applying oxide graphene sol and metal salt solution and/or metal colloidal solution on substrate layer, separating, forming solid film and treating at specified condition.

LIANG M, ZHI L

Antistatic film, useful e.g. as transparent or semitransparent antistatic films, comprises conductive particles comprising single-layer or multi-layer graphene and binder.

KOO C M, HONG S M, HWANG S S, KWAK S, BAEK K Y, MIN K H, PARK Y D, KWAK H L, KIM M H, KIM B R, CHOI S, HAN T H, CHOI S S, KWAK S J

Manufacturing graphene comprises preparing a subject substrate, forming a metal thin film, supplying a carbon source material, heating, diffusing carbon atoms, and forming graphene on the subject substrate.

KWON S, PARK K, YOON E, KWAK J, KWON S Y, YOON U

Transparent electrode for optoelectronic applications e.g. organic photovoltaics and organic light emitting devices, comprises a grid structure, a graphene film associated with the grid structure, and a substrate.

TOUR J M, ZHU Y, TOUR J, SUN Z, YAN Z, RUAN G, PENG Z