国家/地区 美国（22） 日本（20） 世界知识产权组织（20） 欧洲专利局（EPO）（18） 韩国（16） 中国（15） 俄罗斯（6） 澳大利亚（5） 加拿大（5） 印度（5） 墨西哥（5） 新加坡（5） 台湾（5） 巴西（3） 西班牙（2） 英国（2） 香港（2） 印度尼西亚（2） 以色列（2） 南非（2）
IPC部 B（28）
IPC大类 B82（28） C01（28） H01（9）
B01（5） B32（5） C08（5）
C09（4） C23（4） C07（3）
C25（3） C30（3） B05（2）
C04（2） C10（2）
IPC小类 B82B（28）
IPC C01B032/182（28）
发明人 ZHANG L（2） ZHANG M（2）
公开年 2015（8） 2013（4） 2014（3） 2017（3） 2011（2） 2016（2） 2021（2）
申请年 2014（7）  2015（5）  2012（4）  2013（4）  2020（3）  2016（2） 
专利权人 CARBON NANO .（2） SHENZHEN CAN.（2） UNIV MANCHES.（2）

Production of graphene-containing nanomaterial from carbon product, involves using electric arc discharge method.

YERMAGAMBET B T, KAZANKAPOVA M K, AITMAGAMBETOVA A Z, KASSENOVA Z M

ROLL-TYPE CVD REACTOR from the gas phase for chemical deposition of thin graphene films.

SMOVZH D V, MATOCHKIN P E, BEZRUKOV I A, KRIVENKO A S

DEVICE AND METHOD FOR PRECISION TRANSFER OF LAYERS OF ATOMICALLY THIN MATERIALS OF ANY AREA ONTO PLANAR SUBSTRATES.

IVANOVA T V, KULACHENKOV N K, PERMYAKOV D V, SINEV I S, KHESTANOVA E A

GRAPHENE PRODUCTION METHOD.

MASLOV A S

Preparation of graphene in formation of graphene film on insulated substrate, involves providing oxidation mild atmosphere, and growing graphene in substrate in pressure-reduced atmosphere by vapor phase growth method.

KANEKO S, KATO C, TANAKA S, OZAWA T, YASUHARA S

Method for forming e.g. drain contacts for e.g. graphene FET, involves forming grown-in graphitic interface layer at interface between source and graphene surface source contacts and drain contact and graphene surface drain contact.

COLOMBO L, VENUGOPAL A

Preparing nanocomposite of graphene and carbon nanotube for transfection of genes, involves heating iron and carbon precursors in gas/vapor chamber, vaporizing precursors and charging vapors containing precursor elements by inert gases.

LANCELOTTI M, DE HOLLANDA L M, ZANIN H, CAETANO MARQUES V E, CORAT E J, DE OLIVEIRA LOBO A

Perforating sheet of graphene-based material for filtration application, involves arranging sheet of material comprising multi-layer graphene having graphene layers which are independently stacked, and exposing material to particle beam.

BEDWORTH P V, SWETT J L

Manufacture of graphene oxide involves contacting one end face of carbon-based three-dimensional material electrode(s) in parallel with electrolyte solution, electrolyzing, electrochemically-oxidizing, and cutting graphite sheet layers.

XU H, ZHOU Q

Synthesis of graphene derivatives and functional materials used in e.g. transistors, sensors, actuators, pharmaceutical, information displays and semiconductor comprises forming refluxed solution of starting material and additive.

TANIMOLA O W