国家/地区 美国（235）
IPC部 C（235）
IPC大类 C01（235） H01（118） B82（108）
C23（46） B01（39） B32（34）
C07（21） C09（20） C30（19）
B05（18） C08（18） C25（18）
H05（12） G01（11） B29（5）
IPC小类 C01B（235）
IPC C01B031/04（189） C01B031/02（119） B82Y040/00（85）
B82Y030/00（74） C23C016/26（33） C01B032/182（30）
H01L021/02（25） C01B032/194（22） H01B001/04（22）
B32B009/00（20） C01B031/00（19） C01B032/184（19）
H01G011/36（18） H01M004/133（18） C01B032/15（16）
发明人 LEE J（12） CHOI J（6） LEE S（6）
JANG B Z（5） MUELLEN K（5） OZKAN C S（5）
OZKAN M（5） SHIN H（5） YAMAZAKI Y（5）
ZHAMU A（5） BYUNG Y S（4） CHOI K（4）
CHOI N（4） FENG X（4） GUO S（4）
公开年 2014（134） 2013（67） 2015（34）
申请年 2013（235）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（13） EMPIRE TECHN.（8） TOSHIBA KK（8） UNIV SUNGKYU.（7）
BASF CHINA C.（6） BASF SE（6） MAX PLANCK G.（6） SNU R DB FO.（6）
UNIV CALIFOR.（6） JANG B Z（5） LOCKHEED MAR.（5） UNIV SEOUL N.（5）
ZHAMU A（5） HANWHA TECHW.（4） INT BUSINESS.（4） LEE J（4）
LG ELECTRONI.（4） NANOTEK INST.（4） SAMSUNG TECH.（4） TOSHIBA SAMS.（4）

Preparing anthracite based graphene oxide comprises e.g. preparing ultra-clean anthracite powder, adding dispersant, carrying out ultrasonication to prepare dispersion liquid, and preparing graphene oxide colloid solution.

ZHANG L, ZHANG M

Preparing graphene oxide based on mixed acid system comprises e.g. washing graphite, drying, smashing, passing through sieve, preparing graphite powder, adding plugging agent, preparing first acid system and then second acid system.

ZHANG L, ZHANG M

Etching method of graphene, involves etching exposed portions of graphene to form etched graphene structure, after applying resist to surface of graphene opposite to patterned substrate.

ANDERSON K, SJONG A

Production of graphene oxide and/or graphite oxide nanoplatelet structure used for e.g. sensors, involves passing current through cell to intercalate anions into graphitic positive electrode and exfoliating.

ABDELKADER A, KINLOCH I, DRYFE R

Manufacture of graphene powder used for, e.g. electronic components, involves cleaving raw material containing graphite by jet stream of gas at specific speed, and micronizing.

HASEGAWA SHOJI, KAMIYA NAGISA, HASEGAWA S, KAMIYA N

Preparation of graphene used in e.g. solar cell, involves forming biomass-derived carbonaceous mesophase film on base film by soaking in ethanol solution of biomass-derived carbonaceous mesophase, and heat treating base substance.

CHEN Y, FAN T, LAI Y, NING Y, WANG L, ZHAO B, ZHOU J

Formation of binder-free hybrid carbon nanotube and graphene nanostructure for energy devices, involves forming on substrate, depositing catalyst particles and growing nanotubes on graphene layer using ethylene/hydrogen mixture.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Energy device used in supercapacitor application, comprises porous metal substrate, graphene layer deposited onto surface of porous metal substrate, carbon nanotubes, and metal oxide nanostructures.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Energy device used in supercapacitor, consists of paper based substrate having top surface and bottom surface, and graphene oxide and carbon nanotube composite deposited on top surface.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Preparation of graphene involves contacting metal and composition containing graphene oxide under conditions sufficient to reduce portion of graphene oxide to graphene.

ZHAO C, MIN S, DONG X, QIAN X