国家/地区 中国（6）
IPC部 C（6）
IPC大类 C01（6） H01（4） B01（2）
C23（2）
IPC小类 C01B（6）
IPC C01B031/04（3） C01B032/198（3） C01B031/02（2）
C01B032/194（2） C23C016/26（2） H01M004/02（2）
H01M004/36（2） H01M004/38（2） H01M004/62（2）
H01M010/052（2）
发明人 LEE J（3） HONG B（2） JEONG D（2）
JIN X（2） JUNG D（2） KIM S（2）
KIM T（2） KIM T H（2） LEE J C（2）
MOON J（2） PARK S（2） PARK W（2）
SHIN H（2） SOHN K（2） SUN Q（2）
公开年 2022（2）
申请年 2021（2） 
专利权人 SNU R DB FOUND（6）

Coating material used for forming cathode for lithium secondary battery, comprises graphene oxide surface-modified with cationic functional group.

KIM S, LEE J, KIM K, SOHN K, JEONG D, LEE J C, HYUN K, JUNG D, SUN Q, JIN Q, JIN X

Cathode for lithium secondary battery comprises cathode active material and bottom-up graphene oxides (BGOs) coated on surface of cathode active material, where BGOs are crosslinked to each other through hydrocarbon compound containing cationic functional group.

KIM S, LEE J, CHOI S, SOHN K, JEONG D, SHIN H, LEE J C, CHOI S I, JUNG D, SHIN H S, SUN Q, JIN X

Catalyst used for producing hydrogen peroxide, comprises carbon-based support, and catalytic moiety containing metal-nitrogen bonding structure, and bonded to carbon-based support.

HYEON T, SUNG Y, SHIN H, LEE B, JUNG E, SHIN H J, LEE B H, CHUNG E Y, LI B

Doping method of graphene for manufacturing graphene composite electrode and graphene structure, involves forming precursor polymer layer for doping on substrate, and positioning graphene on substrate.

MOON J, PARK W, PARK S, JO I, HONG B, SAN MOON J, SU C I, BAE P W, BEOM P S, HUI H B, ZHENSHAN W, WONBAE P, SUBEOM P, INSU J, BYUNGHEE H

Manufacture of graphene involves loading catalytic metal layer into chamber, applying tensile force to catalytic metal layer, supplying carbon source to chamber, applying tension, and forming graphene on catalytic metal layer.

MOON J, RHO J, PARK S, KIM T, HONG B, PARK W, JUNG M, KIM T H, ROH J

Graphene nanostructure fabricating method for semiconductor device, involves performing anisotropic etching by using aligned oxide nanostructure as mask, and removing remaining oxide nanostructure after anisotropic etching.

HONG S, KIM T H, LEE J, HONG S H, LEE C Y, KIM T