国家/地区 韩国（36） 美国（25） 世界知识产权组织（15） 中国（9） 欧洲专利局（EPO）（9） 日本（7） 台湾（3） 澳大利亚（2） 加拿大（2） 新加坡（2）
IPC部 B（46）
IPC大类 B01（46） C01（46） H01（40）
B82（14） C23（13） H05（9）
B05（4） B32（3） C09（2）
G03（2）
IPC小类 B01J（46）
IPC B01J019/08（46）
发明人 CHOI S Y（4） KIM S I（3） SHIN H（3）
SHIN H J（3） CHOI I（2） CHOI I S（2）
CHOI J（2） CHOI J H（2） CHOI J Y（2）
HAN G（2） HAN G H（2） HOON J S（2）
HWANG I T（2） JUN P S（2） JUNG C H（2）
公开年 2012（7） 2013（7） 2017（7） 2022（7） 2016（4） 2015（3） 2021（3） 2011（2） 2014（2） 2023（2）
申请年 2016（9）  2011（8）  2012（4）  2014（4）  2021（4）  2022（4）  2010（3）  2013（3）  2020（3）  2015（2） 
专利权人 CHEORWON PLA.（3） SAMSUNG ELEC.（3） CALIFORNIA I.（2） HANWHA TECHW.（2）
KOREA ADV IN.（2） KOREA ATOMIC.（2） KOREA BASIC .（2） KOREA HYDRO .（2）
KOREA INST S.（2） UNIV CHUNGAN.（2） UNIV GACHON .（2） UNIV SUNGKYU.（2）
UNIV SUNGKYU.（2）

Depositing graphene or graphene oxide onto substrate from gaseous source of carbon precursor involves using plasma-enhanced chemical vapor deposition method, where carbon precursor consists of ethylene and the process is carried out in absence of carrier gas.

JOUIAD M, EL MARSSI M, LEJEUNE M

Production of solid carbon used in composition of matter, involves receiving carbon dioxide and water in reactor, dissociating carbon dioxide and water to form dissociated species, exposing dissociated species to electric field to facilitate reactions, generating and outputting solid carbon.

STOWELL M W, SIENKO L, STOWELL W M

Performing low-temperature direct growth method of multilayer graphene for manufacturing pellicle for extreme ultraviolet lithography, involves forming etch stopper on substrate, and forming seed layer on etch stopper, where seed layer is selected from boron nitride, or boron carbon nitride.

KIM H Y, CHO J W, KIM H M, KIM S G, KIM H K, KIM H, MI K H, KIM S K

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Preparing graphene-carbon nanotube composite by controlling shape of graphene oxide (GO) by mixing surfactant and GO, reducing shape-controlled GO, modifying surface of reduced GO and surface of carbon nanotube and mixing surface-modified reduced GO and surface-modified carbon nanotube.

KIM G S, CHOI H K

Manufacture of azulene-functionalized graphene material used in electrochemical device, involves reacting ultrasonically processed suspension of reduced graphene oxide in dimethyl formamide, sarcosine and 1-formyl azulene in microwave field.

MARINOIU T A, ION S F, CARCADEA E, RACEANU M, CAPRIS I, VARLAM M

Manufacture of tin-carbon composite involves arranging pair of electrodes in organic solvent containing carbon atoms, arranging tin wire between electrodes, coating carbon atoms on surface of tin nanoparticles, adding composite active material sulfur and/or carbon material, and heat-treating.

KIMKWANYOUNG, KANG K H, JANG H W, YOOSUNGJUN

Fluorine-doped carbon-based material used for energy device e.g., hybrid supercapacitor comprises a carbon-based material in powder form, and fluorine doped by a solvent-free method on the surface of carbon-based material.

SHIM W, SIM Y, KIM J Y, SUBRAMANISRENDREN, MUN J H, HO J C, JAE C H

Improving water dispersibility of conductive carbon powder, involves exposing conductive carbon powder to plasma jet or reacting with plasma-treated reaction gas.

SEOK D C, JUNG Y H, YOO S R, JEONG Y H, YOO S Y, RYU S, ZHENG R, SHI D

Applying functional compound on sulfur particles for forming treated sulfur particles, involves using coating composition containing inorganic electroconductive compound, electroconductive carbon compound and organic precursor compound.

HAVERMANS D, SALLARD S, SHAFIQUE A, VANGENEUGDEN D, VANHULSEL A, HARDY A, SALAH S, SHAFIK A, VAN GENUGDEN D, HARDY N