国家/地区 美国（48） 中国（45） 韩国（40） 世界知识产权组织（37） 日本（29） 欧洲专利局（EPO）（23） 台湾（10） 西班牙（7） 加拿大（6） 香港（3） 印度（3） 墨西哥（2） 新加坡（2） 南非（2）
IPC部 C（70） B（52） H（36）
G（5） A（2）
IPC大类 C01（70） B82（44） H01（35）
B32（20） C23（20） B01（17）
C09（7） C30（6） B05（5）
C25（5） H05（5） C07（4）
C22（4） B21（3） B29（3）
IPC小类 C01B（70）
IPC C01B031/02（70）
发明人 CHOI J（5） CHOI J Y（4） KIM H（4）
OGUNI T（4） SHIN H（4） SHIN H J（4）
AHN J（3） CHIBA G（3） CHIBA Y（3）
GUO H（3） HONG B H（3） KOKUNI T（3）
NAGATA T（3） OSADA T（3） TANG X（3）
公开年 2012（70）
申请年 2012（70）
专利权人 UNIV SUNGKYU.（6） SAMSUNG ELEC.（5） SEMICONDUCTO.（5） HANWHA TECHW.（4）
SAMSUNG TECH.（4） UNIV SUNGKYU.（4） JX NIPPON MI.（3） KOREA INST S.（3）
NIPPON MININ.（3） NIPPON MININ.（3） UNIV XIDIAN（3） DOKURITSU GY.（2）
GRAPHENE SQU.（2） HANWHA AEROS.（2） KOREA ADV IN.（2） KOREA ADVANC.（2）
NIPPON MININ.（2） UNIST ACADIN.（2） UNIV MANCHES.（2） UNIV NEW YOR.（2）

Preparing graphene-layered structure e.g. epitaxial structure that is useful in e.g. transistor, by implanting nitrogen and oxygen ions on surface of silicon carbide thin film to form ion implantation layer and heat treating the film.

SHIN H, CHOI J, AHN J, SEO J, AHN J R, CHOI J Y, SEO J T, SHIN H J

Graphene useful in power storage device e.g. display devices having at least one hole inside a ring-like structure formed by carbon and nitrogen or carbon and at least one element selected from Group 16 element and halogen.

HIROHASHI T, OGUNI T, KOKUNI T

Graphene comprising a hole, useful e.g. for coating an electrode and an active material which are useful in a power storage device and an electric appliance e.g. a display device, a lighting device and a desktop personal computer.

HIROHASHI T, ADACHI S

Multilayer graphene, useful in power storage device e.g. display devices, video cameras and lighting devices, comprises graphenes stacked in layered manner, where graphenes comprise six-membered ring, poly-membered ring and oxygen atom.

OGUNI T, TODORIKI H, OSADA T, KOKUNI T, TODOROKI H, NAGATA T

Producing graphene, used in e.g. capacitor and ink, comprises providing metallic particles as templates, providing carbon source, reacting metallic particles and carbon source and forming graphene particles on metallic particles.

COLEMAN K

Growing a one or two monolayer film of graphene on a substrate, comprises depositing a first layer of graphene on the substrate, and annealing the carbon layer to form an ordered graphene layer one or two monolayers thick on the substrate.

KELBER J

Manufacture of graphene raw material for graphene wiring structure, involves forming mask material for side surface of catalyst metal layer on substrate and supplying carbon source to surface of catalyst metal layer.

NARITSUKA S, MARUYAMA T

Controllable layer number graphene thin film, prepared by preparing germanium-silicon substrate, carburizing and heating copper-nickel composite substrate with carbon source gas.

DING G, JIANG M, XIE X, ZHU Y

Method for non-destructively transferring graphene, involves nondestructively combining graphene coated with media with target substrate, and removing media to transfer graphene to target substrate nondestructively.

REN W, GAO L, MA L, CHENG H

Oxidation exfoliation of graphite to produce layer(s) of carbon sheet (graphene) by peeling from graphite innvolves irradiating grahite with microwave before oxidizing using sulfuric acid, sodium nitrate, and potassium permanganate.

NISHINA Y