国家/地区 中国（105）
IPC部 B（105）
IPC大类 C01（105） C23（105） B82（59）
H01（42） B32（32） B01（21）
C30（13） B05（11） B22（10）
C03（9） C22（7） C09（6）
C25（6） B21（5） H05（5）
IPC小类 C01B（105）
IPC C23C016/26（105）
发明人 FAN S（7） JIANG K（7） LI Y（6）
LIN X（6） FAN F Y（5） SHI H（5）
WANG Y（5） XIAO L（5） DUAN Y（4）
JUNG M（4） LI Z（4） LIN X Y（4）
LIU X（4） SHAO L（4） WANG H（4）
公开年 2012（16） 2013（15） 2015（11） 2022（11） 2017（9） 2021（8） 2014（7） 2011（6） 2016（6） 2019（5） 2018（4） 2020（4） 2023（2）
申请年 2013（16）  2011（13）  2012（12）  2020（10）  2022（10）  2014（9）  2016（8）  2017（6）  2019（6）  2015（5）  2010（3）  2018（3）  2021（2） 
专利权人 HON HAI PREC.（7） HONGFUJIN PR.（7） UNIV TSINGHU.（7） SAMSUNG ELEC.（6）
CHINESE ACAD.（5） CHONGQING GR.（4） HANWHA TECHW.（4） SAMSUNG TECH.（4）
SHANGHAI INS.（4） UNIV CALIFOR.（4） CORNING INC（3） SHENZHEN CHI.（3）
UNIV SUNGKYU.（3） UNIV SUNGKYU.（3） UNIV SUNGKYU.（3） BASF SE（2）
CHINESE ACAD.（2） CRRC IND RES.（2） GUO S（2） HEIQ MATERIA.（2）

Preparing secondary enhanced graphene gas gel useful in shoes, comprises introducing substrate layer on prepared graphene gas gel surface, performing chemical vapor deposition reaction and growing sheet layer or spherical graphene aggregate on surface of substrate layer.

ZHENG L, SHEN Y, ZHENG Y, WU L, WANG H

Preparing a sponge nickel-loaded nitrogen and fluorine double-doped vertical graphene useful in e.g. preparing anode and cathode materials for lithium-sulfur batteries, comprises e.g. obtaining Ni(AC)2 aqueous solution, adding N2H4H2O and mixing to obtain reaction solution.

TU J, WANG X, QIU Z, XIA X

Nanocrystalline graphene used for complementary metal-oxide-semiconductor process, comprises grains in stack of graphene sheets.

KIM S, BYUN K, CHO Y, SHIN K, LEE E, LEE C, SONG H, SHIN H, YOON J, LEE S, LIM H, BYUN K E, CHO Y C, SHIN K W, LEE C S, SONG H J, SHIN H J, SU Y J, LEE S Y, LIM H S, LI Z, YOUN J, SHEN X, LI C, LI Y, ZHAO L, JIN S

Scale production device of high conductive graphene metal composite material, has sealing chamber that is provided with feeding area and high temperature area provided with heating mechanism, pressing mechanism and transport mechanism.

SHAO L, DUAN Y, SHI H, LI Z, ZHANG Y

Method for preparing graphene metal composite material useful in field of alloy preparation for electrical, mechanical, and thermodynamic applications, comprises e.g. growing graphene on surface of metal material, heating, and applying pressure to metal material grown with graphene.

QU Y, TAN H, WANG W, SHEN D

Preparing graphene copper composite material useful in supercapacitors and motor drive devices, comprises e.g. pre-setting multi-layer copper foil in hot pressing chamber, adopting chemical vapor deposition, preparing graphene film on copper foil surface, and sintering graphene-copper.

GONG M, ZHAO M, LI M, CHEN C, CHEN Q, YANG W, LI Y, WANG Y, LIU B, PEI Z, ZHANG X, LIANG J

Growth forging split device for graphene metal composite material, comprises growth chamber, forging chamber and transfer mechanism for transferring metal material, where growth chamber and forging chamber are inside with heating system.

SHAO L, HUANG D, DUAN Y, JIANG H, MA J, XU X, SHI H, LI X, YU J

Preparation device of metal layered graphene on solid carbon source, has heat compression chamber that is provided with auxiliary gas path mechanism introducing auxiliary gas into sample chamber, growth chamber and compression chamber.

SHAO L, LI X, ZHANG Y, LI Z, HUANG D, SHI H, DUAN Y

Preparation method of graphene-coated metal particles used in industry, involves filtering metal particles with uniform particles filter and performing corona treatment on the surface of the metal particles, and then uniformly mixing corona treated metal particles surface with graphene powder.

LI A, LI J

Preparing graphene metal layered composite material useful in aerospace industry, aviation industry and information industry, comprises pre-treating solid carbon source, growing graphene on many metal substrates and hot-pressing many graphene metal substrates.

SHAO L, LI X, ZHANG Y, LI Z, HUANG D, SHI H, DUAN Y