国家/地区 中国（70） 世界知识产权组织（26） 美国（23） 韩国（16） 欧洲专利局（EPO）（12） 日本（9） 台湾（5） 加拿大（3） 英国（3） 西班牙（2） 印度（2）
IPC部 C（103）
IPC大类 C01（103） B82（38） H01（23）
C08（14） B01（13） C23（11）
C09（7） B32（6） C04（5）
C30（5） B02（4） B05（3）
B22（3） G01（3） H05（3）
IPC小类 C01B（103）
IPC C01B021/064（103）
发明人 ZHANG Y（6） LI Y（5） LIU Y（5）
WANG J（5） JIANG H（4） LIU S（4）
LIU Z（4） WANG H（4） XU J（4）
YAO Y（4） DUAN X（3） GAO W（3）
GAO X（3） GLASGOW L（3） GUO Y（3）
公开年 2021（27） 2022（17） 2016（10） 2017（9） 2023（8） 2013（5） 2014（5） 2018（5） 2019（5） 2020（5） 2015（3）
申请年 2021（21）  2020（20）  2016（12）  2022（10）  2019（7）  2014（6）  2015（5）  2018（5）  2011（3）  2012（3）  2013（3）  2017（3）  2023（2） 
专利权人 GUANGDONG NA.（3） SAMSUNG ELEC.（3） SHANGHAI INS.（3） SHENZHEN INS.（3）
SWAN CO LTD.（3） UNIST ULSAN .（3） UNIV JILIN（3） CHANGZHOU XI.（2）
GUANGDONG NA.（2） KRI INC（2） SAUDI ARABIA.（2） SONG J（2）
SUNG C（2） UNIV NANKAI（2） UNIV NAT DEF.（2） UNIV NORTHWE.（2）
UNIV PEKING（2） UNIV SINGAPO.（2）

Device for preparing two-dimensional layered material, has chassis used as supporting platform of whole device, motor provided with small belt pulley, and cathode provided with second conductive slip ring, which is connected with third conductive slip ring through fixed middle shaft.

QIAN Y, WANG F, SHEN B, DU Z, ZHU Y, DENG X, PEI X, LI M, CHEN W, XU C, XU W, CHEN J

Magnetic field responsive hexagonal boron nitride particles comprises hexagonal boron nitride particle that responds to magnetic field, which has adsorption layer of monolayer of graphene oxide or partially reduced oxide on surface of scale-like or plate-like hexagonal boron nitride particle.

ZAIMA H, MATSUMOTO N, SUGIMORI S, ONAKA N J, ITO G

Method of energy conversion materials fabricated with boron nitride nanotubes (BNNTS) and BNNT polymer composites, involves synthesizing Boron-containing nanomaterial/polymer fabric from matrix by using managed dispersion of boron-containing nanomaterial into matrix,the connected.

SHARAMILA S, SHIVANNAVAR P M, SHREE S K, KUMAR C K, SHANKRAMMA K

Forming nanofiber, comprises e.g. providing two dimension materials with charge bearing moieties on its planar surfaces and at its ends, reacting with proton donors, proton acceptors and hydrophobic counter ions, and crosslinking.

SPOLON MARANGONI V, CASTRO A H D, CALDEIRA FERRAZ DA COSTA M, KEITEL DONATO R, TAN H L

Stripping method of two-dimensional material, comprises uniformly mixing two-dimensional material with thermoplastic plastic to obtain mixture, heating and melting the mixture, where stripping system material is obtained by plastic processing technique.

WAN W, LI P, LIU S, LI W, ZHAO Z

Method for transferring thin-layer two-dimensional material of ultra-thin silicon target substrate and array electrode, involves sequentially removing second transfer film and first transfer film to realize transfer of thin-layer two-dimensional material to target substrate.

LAN S, ZHANG Z, PAN B, ZHENG Z, HONG Y, WANG P

Large-area boron nitride graphene vertical heterojunction film for preparing the material with graphene material, comprises substrate and hetero structure layer covering substrate, comprises boron nitride and graphene, where boron nitride film is uniformly grown on graphene thin layer.

GAO W, FENG Y, GUO Y, YIN H

Method for preparing micro-nano materials comprise e.g. introducing sacrificial carrier into slurry containing raw materials and auxiliary agents, shaping and drying to form mixture, synthesizing preform to prepare porous body made of micro-nano materials, and performing dispersion operation.

LI Q

Producing heat dissipation material, comprises preparing porous carbon material by calcining carbon material, preparing alkylated ceramic filler by reacting ceramic material with alkyl alcohol, and filling pore with alkylated ceramic filler.

HOUN K J

Digital formation of two-dimensional materials structures used for electronic components, involves generating donor substrates containing back surface and front surface, applying coating to front surface, and irradiating coating containing donor material.

ZERGIOTI I, PAPAZOGLOU S, ZACHARATOS F, LOGOTHETI A, PESQUERA A, ZURUTUZA A, NAVEH D