国家/地区 美国（54） 韩国（52） 日本（39） 世界知识产权组织（34） 中国（28） 欧洲专利局（EPO）（20） 台湾（7） 印度（6） 墨西哥（6） 俄罗斯（6） 巴西（5） 新加坡（4） 德国（3） 加拿大（2） 西班牙（2） 法国（2） 香港（2）
IPC部 C（82）
IPC大类 C01（82）
IPC小类 C01B（82）
IPC C01B031/02（82）
发明人 CHOI J Y（7） HONG B H（7） CHOI J（6）
KIM H K（6） AHN J（5） BAE S K（5）
SHIN H J（5） LEE J H（4） SHIN H（4）
VEERASAMY V（4） VEERASAMY V S（4） AHN J H（3）
BAE S（3） CHOI W（3） CHOI W M（3）
公开年 2011（82）
申请年 2010（40）  2011（24）  2009（18） 
专利权人 UNIV SUNGKYU.（14） SAMSUNG ELEC.（13） UNIV SUNGKYU.（8） GRAPHENE SQU.（4）
GUARDIAN GLA.（4） GUARDIAN IND（4） GUARDIAN IND.（4） HON HAI PREC.（3）
HONGFUJIN PR.（3） SAMSUNG TECH.（3） UNIV SUNGKYU.（3） UNIV SUNGKYU.（3）
UNIV TSINGHU.（3） UNIV YONSEI .（3） AHN J（2） BAE S（2）
FUJI ELECTRI.（2） FUJI ELECTRI.（2） HITACHI LTD（2） HONG B H（2）

Cross-type graphene hetero-junction structure is formed by attaching primary graphene on substrate, coating polymethyl methacrylate to graphene, baking, separating polymethyl methacrylate layer, and aligning layer on secondary graphene.

LEE S W, KIM J S

Forming graphene used in e.g. bioanalytics involves providing graphite sample having atomic layers of carbon; introducing solvent and ions into spaces between the atomic layers; expanding space; and separating the layers using driving force.

LOH K P, WANG J, JUNZHONG B, LOH K, LUO J, ZUNZHONG W

Graphene composition, useful in electrical device, preferably e.g. sensor, bipolar junction transistor, field effect transistor and light emitting diode, comprises a graphene monolayer and an alkali metal disposed on the graphene monolayer.

SHIN H, CHOI J, AHN J, JEON C, AHN J R, CHOI J Y, JEON C H, SHIN H J

Negative-electrode active material used for lithium ion secondary batteries, comprises short-length cup-stack type carbon nanotube having laminate of two or more cup type graphene sheets and cup type graphene sheets with open bottom.

SHIOZAKI S

New graphene comprising a structure of carbon atoms partially substituted with boron atoms and nitrogen atoms, where the graphene has a band gap, useful in a channel of a transistor.

LEE S, SEO S, WOO Y, CHUNG H, HEO J, LEE S H, SEO S A, WOO Y S, CHUNG H J, HEO J S, HUN L S

Graphene oxide reducing agent, is halogen element.

LEE H Y, LEE J H, MOON I K

Manufacture of reduced graphene oxide for manufacturing reduced graphene-polymer composite, involves treating graphite with strong acid, mixing with halogen-substituted aromatic compound and stirring.

KU B C, PARK O K, LEE S H, NA S I, JO H I, KIM J K, LEE J H, KU B, PARK O

Super hydrophobic graphene, has surface part in which multiple cylindrical projections are formed, where one of projections occupies 20 percent of graphene in total body surface area.

CHOI J Y, HAN G H, LEE Y H, SHIN H J

Forming graphene nano ribbon used in display device involves depositing graphene sheet on surface of substrate, forming plasma mask with nano pattern on sheet, and forming nano pattern in sheet by plasma treating stack structure having mask.

SHIN H, CHOI J, LEE Y, HAN G, CHOI J Y, HAN G H, LEE Y H, SHIN H J

Film, useful in semiconductor devices for displays devices and field effect transistors, comprises a base layer having amino groups, and a reduced graphene oxide layer formed on the base layer.

KOBAYASHI T, TOSHIYUKI K