国家/地区 美国（48） 韩国（42） 中国（41） 世界知识产权组织（38） 日本（23） 欧洲专利局（EPO）（12） 台湾（8） 西班牙（4）
IPC部 C（82）
IPC大类 C01（82）
IPC小类 C01B（82）
IPC C01B031/02（63） C23C016/26（60） C01B031/04（41）
B82Y040/00（31） B82Y030/00（26） H01B001/04（13）
B82B003/00（9） C23C016/56（9） C01B032/186（8）
B01J019/08（7） B32B009/00（7） H01B013/00（7）
B32B009/04（6） C23C016/02（6） C23C016/46（6）
发明人 HONG B H（7） DING G（6） WON D K（6）
XIE X（6） FAN F Y（5） FAN S（5）
JIANG K（5） JIANG M（5） LIN X（5）
XIAO L（5） AHN J（4） HONG B（4）
LIN X Y（4） AHN J H（3） CHO S M（3）
公开年 2012（82）
申请年 2011（42）  2012（32）  2010（8） 
专利权人 SAMSUNG TECH.（10） HANWHA TECHW.（8） CHINESE ACAD.（6） KOREA ADV IN.（6）
UNIV SUNGKYU.（6） HON HAI PREC.（5） HONGFUJIN PR.（5） SAMSUNG ELEC.（5）
SHANGHAI INS.（5） UNIV TSINGHU.（5） UNIV SUNGKYU.（4） UNIV SUNGKYU.（4）
EMPIRE TECHN.（3） GRAPHENE SQU.（3） KOREA ADVANC.（3） UNIV XIDIAN（3）
DENG P（2） DING G（2） GUO H（2） HANWHA AEROS.（2）

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Method for manufacturing graphene used in solar cell, involves heat-treating deposited mixed thin film on semiconductor substrate at specific temperature for preset time.

CHOI S H, YANG S B, KIM S

Controllable layer number graphene thin film, prepared by preparing germanium-silicon substrate, carburizing and heating copper-nickel composite substrate with carbon source gas.

DING G, JIANG M, XIE X, ZHU Y

Method for non-destructively transferring graphene, involves nondestructively combining graphene coated with media with target substrate, and removing media to transfer graphene to target substrate nondestructively.

REN W, GAO L, MA L, CHENG H

Copper foil for manufacturing graphene, has specified sum total of oxides and sulfides having diameter of below preset value before heating under hydrogen and argon-containing atmosphere.

CHIBA Y, YAMAJI T, YOSHIHIRO C, TATSUYA Y, CHIBA G

Alloy method for preparing large area graphene thin film by depositing carbon alloy film on high temperature resistant substrate, annealing film, providing carbon atom concentration in alloy thin film surface and growing graphene thin film.

XU Z

Making graphene/carbon nanotube composite structure, comprises growing graphene film on surface of metal substrate by chemical vapor deposition method, cooling metal substrate, and providing carbon nanotube film structure on graphene film.

JIANG K, LIN X, XIAO L, FAN S, LIN X Y, FAN F Y

Making a graphene or carbon nanotube composite structure, comprises e.g. growing graphene film on first surface of metal substrate by chemical vapor deposition method, and combining carbon nanotube film structure with graphene film.

JIANG K, LIN X, XIAO L, FAN S, LIN X Y, FAN F Y

Making a graphene composite structure used as electrode involves growing a graphene film on the first surface of the metal substrate by a chemical vapor deposition method; and etching the metal substrate from the second surface.

JIANG K, LIN X, XIAO L, FAN S, LIN X Y, FAN F Y

Making thermoacoustic element involves arranging graphene film on metal substrate/forming laminate structure by stacking nonmetal substrate on substrate/removing substrate from laminate structure/forming through-holes in nonmetal substrate.

JIANG K, LIN X, XIAO L, FAN S, IM H Y, FAN F Y