国家/地区 日本(290)
IPC部 B(290)
IPC大类 B82(290) C01(290) H01(170)
B01(65) C23(59) C09(57)
C08(54) B32(53) B05(33)
C25(27) C07(26) C04(16)
G01(15) C30(13) D01(13)
IPC小类 B82Y(290)
IPC B82Y030/00(290)
发明人 FAN F Y(7) FAN S(7) FENG X(7)
JIANG K(7) MUELLEN K(7) BEDWORTH P V(6)
JANG B Z(6) KIM J(6) LEE S(6)
LI J(6) LIN X(6) MULLEN K(6)
SAKAI T(6) XIAO L(6) YAMAZAKI Y(6)
公开年 2013(55) 2012(47) 2011(33) 2014(32) 2017(23) 2015(22) 2021(19) 2016(13) 2010(12) 2018(11) 2009(6) 2022(6) 2019(4) 2020(4) 2008(2)
申请年 2011(51)  2012(50)  2013(36)  2014(26)  2010(20)  2015(19)  2009(17)  2016(17)  2020(12)  2017(11)  2021(9)  2018(7)  2019(6)  2008(4)  2007(2)  2022(2) 
专利权人 SEMICONDUCTO.(11) FUJITSU LTD(10) HON HAI PREC.(10) HONGFUJIN PR.(10)
UNIV TSINGHU.(10) TOSHIBA KK(9) BASF SE(8) LOCKHEED MAR.(7)
NAT INST ADV.(7) NAT INST MAT.(7) SAMSUNG ELEC.(7) UNIV MANCHES.(7)
JANG B Z(6) LOCKHEED COR.(6) MAX PLANCK G.(6) NANOTEK INST.(6)
ZHAMU A(6) BASF AG(5) BASF CHINA C.(5) DOKURITSU GY.(5)

KAZUOMI S, KAZUHIRO T, YASUHIRO Y, MAYUMI K, RYOTA Y, SATO K, TOKUNAGA K, YUZUHARA Y, KOSAKA M, YUGE R