国家/地区 美国（4） 中国（3） 欧洲专利局（EPO）（3） 日本（3） 韩国（3） 世界知识产权组织（3）
IPC部 C（4）
IPC大类 C01（4）
IPC小类 C01B（4）
IPC C01B031/04（4） C30B029/02（4） C23C016/26（3）
C01B031/02（2） C01B032/182（2） C01B032/188（2）
C23C016/44（2） C30B001/02（2） C30B025/18（2）
H01L021/02（2）
发明人
公开年 2015（4）
申请年 2014（3） 
专利权人

Preparation of graphene used as exciting material, involves thermally pretreating substrate in chemical deposition chamber using gaseous or supercritical oxidant, and preparing graphene on pre-treated surface by chemical deposition.

STRUDWICK A, SCHWAB M G, MUELLEN K, SACHDEV H, WEBER N, BINDER A, MULLEN K, STRUDWICK A J, WEBER N E

Making graphene used as an impenetrable gas barrier, comprises providing seed gas in presence of metallic substrate, providing pulsed, ultraviolet laser beam and moving substrate or laser beam relative to other.

CASTRO A H, OZYILMAZ B, STIER A V, TOH C T, DU Z, CASTRO N A H

Formation of graphene for structure formation involves depositing metals on surface of silicon carbide and heating silicon carbide and metals under predetermined conditions.

IACOPI F, AHMED M, CUNNING B V

Formation of graphene-boron nitride interface used in e.g. formation of graphene-boron nitride heterostructure, involves exposing ruthenium substrate to ethylene, and sequentially exposing resultant substrate to oxygen and borazine.

SUTTER P W, SUTTER E A