国家/地区 韩国（76）
IPC部 C（76）
IPC大类 C01（76） H01（75） B82（36）
C23（20） B32（19） B01（11）
B05（8） H05（7） C04（3）
C09（3） G06（3） B29（2）
C07（2） C08（2） G01（2）
IPC小类 C01B（76）
IPC C01B031/02（68） H01B001/04（30） B82Y040/00（29）
C01B031/04（29） B82Y030/00（28） C23C016/26（16）
H01L021/02（12） H01M004/583（10） B32B009/00（9）
H01L029/16（9） H01B005/14（8） H01B013/00（8）
H01L051/50（8） H01M004/36（8） C01B031/00（7）
发明人 AHN J（5） CHOI J（5） CHOI J Y（5）
HONG B H（5） SHIN H（5） SHIN H J（5）
HONG B（4） KIM K B（4） KIM S（4）
LEE Y（4） AHN J H（3） HAN J T（3）
JEONG H J（3） JEONG S Y（3） LEE G W（3）
公开年 2012（76）
申请年 2011（40）  2012（29）  2010（7） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（9） HANWHA TECHW.（6） KOREA ADV IN.（6） SAMSUNG TECH.（6）
SEMICONDUCTO.（5） UNIV SUNGKYU.（5） UNIV SUNGKYU.（4） UNIV SUNGKYU.（4）
GRAPHENE SQU.（3） KOREA ELECTR.（3） KOREA INST S.（3） SONY CORP（3）
UNIST ACADIN.（3） UNIV YONSEI .（3） ELECTRONICS .（2） HONG B（2）
KOREA ADVANC.（2） KOREA RES IN.（2） KWAN W L（2） LEE B H（2）

Structure, useful in e.g. a graphene device e.g. a transistor, comprises a substrate, a growth layer, a graphene layer, and a protective layer, where the growth layer is disposed on the substrate and has a groove.

CHOI B, LEE E, WHANG D, CHOI B L, LEE E K, WHANG D M, CHOE P, HWANG T

Preparing graphene-layered structure e.g. epitaxial structure that is useful in e.g. transistor, by implanting nitrogen and oxygen ions on surface of silicon carbide thin film to form ion implantation layer and heat treating the film.

SHIN H, CHOI J, AHN J, SEO J, AHN J R, CHOI J Y, SEO J T, SHIN H J

Graphene useful in power storage device e.g. display devices having at least one hole inside a ring-like structure formed by carbon and nitrogen or carbon and at least one element selected from Group 16 element and halogen.

HIROHASHI T, OGUNI T, KOKUNI T

Graphene comprising a hole, useful e.g. for coating an electrode and an active material which are useful in a power storage device and an electric appliance e.g. a display device, a lighting device and a desktop personal computer.

HIROHASHI T, ADACHI S

Method for manufacturing display device e.g. flat-panel display device, involves forming first substrate into anti-static layer consisting of graphene thin film.

HEON K T, HONG K C, HYEON P J, HYE K J, HYUN P J

Graphene transfer involves forming graphene on both sides of metallic catalyst component, arranging carrier in graphene, exposing graphene, removing catalyst component from exposed portion, and transferring graphene to substrate.

NA D H, YOON J H

Lithium ion secondary battery used for e.g. electrical machinery, has graphene layers which are provided with concavo-convex portion.

TEPEY O, TAKESHI O, TOSHIHIKO T, KUNIHARU N, OGUNI T, NAGATA T, TAKEUCHI T, NOMOTO K, OSADA T

Method for forming one-to-four-monolayer graphene layer on metal layer in manufacturing, e.g., magnetic tunnel junction (MTJ) spin filters for magnetoresistive RAM, by inducing segregation of carbon in metal layer to surface of metal layer.

KELBER J, ZHOU M, MI J U

Ferromagnetic graphene for spin valve device, comprises ferromagnetic graphene having ferromagnetic characteristics and antidote(s) in ferromagnetic graphene.

LEE S, LEE S H

Electrode such as a positive electrode or a negative electrode, useful in a battery e.g. manganese battery, comprises active material particles, and a graphene net that includes graphene sheets and is formed by heat treatment.

TODORIKI H, MOMO J, OGUNI T, INOUE N, TODOROKI H, KOKUNI T