国家/地区 韩国（98）
IPC部 C（98）
IPC大类 C01（98） H01（94） B82（32）
B01（15） C23（13） B32（12）
C08（11） H05（11） C09（10）
B05（4） C30（4） C04（3）
C25（3） B22（2） C07（2）
IPC小类 C01B（98）
IPC C01B031/02（84） C01B031/04（41） B82Y030/00（19）
B82Y040/00（19） H01B001/04（16） H01B013/00（13）
H01L029/16（11） H01M004/133（11） B82B003/00（10）
H01M004/36（10） C01B032/182（9） H01B005/14（9）
H01L021/02（9） B32B009/00（8） B82B001/00（8）
发明人 CHOI J（6） CHOI J Y（5） LEE S（5）
SHIN H（5） KIM H（4） KIM J Y（4）
KIM Y S（4） LEE D（4） LEE J（4）
LEE J H（4） LEE S H（4） SHIN H J（4）
BYUN K（3） BYUN K E（3） CHUNG H（3）
公开年 2014（98）
申请年 2013（60）  2014（22）  2012（16） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（16） UNIV SUNGKYU.（8） KOREA INST S.（5） SAMSUNG TECH.（5）
HANWHA TECHW.（4） UNIST ACADIN.（4） HANWHA AEROS.（3） INHA IND PAR.（3）
LG ELECTRONI.（3） MAX PLANCK G.（3） SHIN H（3） BASF CHINA C.（2）
BASF SE（2） CHOI J（2） GRAPHENE SQU.（2） JANG B Z（2）
KAGAWA S（2） KOREA ADVANC.（2） KOREA INST C.（2） LEE J（2）

Structure, useful for forming graphene layer useful in e.g. high-speed semiconductor, comprises highly oriented pyrolytic graphite with an exposed surface, metal layer, coating layer, and support attached to surface of metal layer.

LEE Y S, KIM J H

Manufacture of graphene as base material for electronic circuits, carbon-based electronic device and electromagnetic device, involves forming metal layer on thermal expansion compensation substrate, and forming graphene on metal layer.

CHOI M, KIM T, MOON J, JUNG M, KIM T H

Conductive material for use in electrode of lithium secondary battery used as power source of electronic products, has single layer coal-based pitch coated graphene sheet separated from graphite through chemical exfoliating process.

SHIN S Y, WOO S W, KIM E K, KIM J Y, KIM H W, LEE S M, KIM E, KIM J, LI X, SHIN S, WOO S, KIM H

Producing graphene film used to manufacture organic LED device, comprises coating first and second electrodes with graphene solution, positioning a suspender between the electrodes, and applying an electric field on the suspender.

JAE I L, SEONG C J, JU H L, SU C L, JI S S, IK L J, CHAN J S, HWAN L J, CHAN L S, SOO S J

Semiconductor structure for semiconductor device comprises graphene material and graphene-lattice matching material over at least a portion of graphene material.

MEADE R E, PANDEY S C

Manufacture of metal oxide-graphene nanocomposite used for electrode, involves preparing synthetic material of nanocomposite using cobalt chloride hydrate and/or distilled water, hydrothermally treating, and forming graphene flakes.

KIM C K, KIM S W, JEONG G H, LEE H M

Synthesis of nanoporous graphene and photo luminescent graphene quantum dots used for e.g. gas separation, involves preparing mixture by dispersing graphene in hydrogen peroxide, filtering mixture, drying residue and dialyzing filtrate.

KURUNGOT S, PALANISELVAM T, PLANISELVAM T, THANGAVELU P

Manufacture of graphene hybrid material for e.g. for biological sensors involves preparing nanoparticles, biomaterial solution, and graphene oxide solution and mixing with biomaterial solution to form biomaterial-coated nanoparticles.

YUN Y, SONG K, YUN Y J, SONG K B

Piezoelectric ceramic composite formed by mixing piezoelectric ceramic and graphene oxide, and sintering at high temperature.

YUN J S, PAIK J H, CHO J H, JEONG Y H, NAHM J H

Graphene film used in an electrode is obtainable by epitaxially growing metal layer on surface of substrate, peeling off the metal layer, and depositing graphene onto surface of metal layer.

WODTKE A, YU H K, ALEC W, HAK KI Y, YU H, YUK H K, YUK H