国家/地区 中国（157） 美国（107） 韩国（97） 世界知识产权组织（69） 日本（68） 欧洲专利局（EPO）（36） 印度（13） 台湾（13） 墨西哥（10） 俄罗斯（9） 加拿大（7） 巴西（6） 西班牙（6） 新加坡（6） 德国（4） 法国（3） 香港（3）
IPC部 C（284）
IPC大类 C01（284） B82（118） H01（108）
B32（47） C23（44） B01（25）
B05（25） C08（18） C07（15）
C09（14） C30（13） C25（9）
G01（8） B29（6） B44（6）
IPC小类 C01B（284）
IPC C01B031/04（190） C01B031/02（144） B82Y040/00（76）
B82Y030/00（73） H01B001/04（40） B82B003/00（35）
C01B031/00（31） C23C016/26（26） B32B009/00（20）
B82B001/00（17） H01L029/786（15） H01L021/20（12）
C08K003/04（11） C30B029/02（11） B05D005/12（10）
发明人 CHOI J Y（9） CHOI J（8） HONG B H（8）
WANG Y（8） ZHANG X（8） KIM K B（7）
LIU Y（7） SHIN H J（7） ZHANG D（7）
CHEN X（6） CHEN Y（6） FUJII K（6）
KIM H K（6） LI Y（6） QU Y（6）
公开年 2011（284）
申请年 2010（128）  2011（113）  2009（43） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（18） UNIV SUNGKYU.（17） UNIV SUNGKYU.（9） FUJI ELECTRI.（6）
SAMSUNG TECH.（6） WUXI DILIUYU.（6） WUXI SIXTH E.（6） UNIV TSINGHU.（5）
BASF SE（4） CHINESE ACAD.（4） GRAPHENE SQU.（4） GUARDIAN GLA.（4）
GUARDIAN IND（4） GUARDIAN IND.（4） HON HAI PREC.（4） HONGFUJIN PR.（4）
JANG B Z（4） KOREA ADV IN.（4） KOREA INST S.（4） NANOTEK INST.（4）

Manufacture of graphene involves using face centered cubic metal catalyst with single oriented texture.

CHA S W, HONG B H, HONG S Y, JUNG M H, KIM K E, KIM K H, MAENG K S, PARK C W, PARK S B

Cross-type graphene hetero-junction structure is formed by attaching primary graphene on substrate, coating polymethyl methacrylate to graphene, baking, separating polymethyl methacrylate layer, and aligning layer on secondary graphene.

LEE S W, KIM J S

Manufacturing method of graphene transfer film involves applying air pressure to at least one of graphene growth film and carrier film so that graphene and carrier film are attached to each other.

CHO S, SONG Y, CHO S H, SONG Y I

Method for guiding optical signal on layers of graphene to create optical device e.g. ribbon waveguide beam combiner or splitter, involves arranging portion of layer of graphene to provide conductivity.

ENGHETA N, VAKIL A

Forming graphene used in e.g. bioanalytics involves providing graphite sample having atomic layers of carbon; introducing solvent and ions into spaces between the atomic layers; expanding space; and separating the layers using driving force.

LOH K P, WANG J, JUNZHONG B, LOH K, LUO J, ZUNZHONG W

Making graphene involves making graphite oxide substrate by exfoliating graphene oxide sheet in aqueous solution, neutralizing and centrifuging the solution, and evaporating/spin coating the solution on material; and exposing to laser beam.

SOKOLOV D A, SHEPPERD K R, ORLANDO T M

Method for preparing single-crystal graphene in electronic device, involves coating hydrocarbon in metal foil, implementing thermal decomposition treatment in foil, and cooling foil to room temperature to obtain graphene sheet metal.

CHEN Y, LI P, LI Y, WANG Z, ZHANG W

Forming graphene thin films/functionalized graphene coatings, comprises providing conducting substrate and electrophoretically forming graphene or functionalized graphene using solution comprising e.g. exfoliated graphene sheets.

BANERJEE S, WHITTAKER L, LEE V, WHITAKER L

Method for transferring graphene from graphene forming structure onto desired object e.g. circuit substrate, involves separating oxide layer from metal catalyst layer and removing metal catalyst layer by using etching solution.

CHO S, WON D, CHO S H, WON D K

Making graphene, comprises introducing organic solvent/surfactant and graphite material in reaction tank, adding supercritical fluid to allow solvent/surfactant to dissolve in fluid and permeate into graphite material, and removing fluid.

PU N, AN W C, SUNG Y, GER M, WANG C A