国家/地区 欧洲专利局（EPO）（47）
IPC部 C（47）
IPC大类 C01（47） B82（36） H01（25）
B32（13） C23（11） C08（7）
B01（6） C07（6） C09（6）
C25（6） C30（5） B05（4）
D01（4） B81（3） B23（2）
IPC小类 C01B（47）
IPC C01B031/02（41） C01B031/04（40） B82Y030/00（33）
B82Y040/00（31） H01B001/04（12） C01B032/194（8）
B82B003/00（7） C01B031/00（7） C01B032/182（7）
C01B032/184（7） C23C016/26（7） H01B013/00（7）
B32B009/00（6） B82B001/00（5） H01B001/00（5）
发明人 FENG X（2） HWANG T（2） KIM J（2）
KOBAYASHI T（2） KWAK J（2） KWON S（2）
MUELLEN K（2） PARK K（2） SHIMIZU K（2）
ZENASNI A（2）
公开年 2012（21） 2011（14） 2013（12）
申请年 2011（47）
专利权人 CENT NAT REC.（3） COMMISSARIAT.（3） SONY CORP（3） UNIV MANCHES.（3）
UNIV SINGAPO.（3） UNIV SINGAPO.（3） CNRS CENT NA.（2） MAX PLANCK G.（2）
SAMSUNG ELEC.（2） UNIST ACADIN.（2） UNIV ILLINOI.（2）

Preparing graphene i.e. free of metal contamination and magnetic and organic impurities, used to make battery, comprises reacting graphene oxide dispersion in a solvent, with tin compound and optionally with acid compound, and acid washing.

DUBOIS L, GAMBARELLI S, NANJUNDAN A

Isocyanate group-modified carbon material contains diisocyanate compound in which isocyanate group couples with graphene-type carbon material.

WADA T, TSUBOKAWA N, TAKUYA W

Manufacturing film of graphene, comprises depositing metal layer on surface of substrate, and continuously realizing buried carbon rich area inside metal layer by creating and maintaining carbon rich area so as to form film of graphene.

COJOCARU C

Synthesizing graphene sheet on platinum silicide, by forming stack by e.g. placing first layer of diffusion barrier material on substrate and placing second layer of silicon carbonaceous material on first layer and thermally treating stack.

ZENASNI A

One-dimensional conductive nanomaterial-based conductive film used for e.g. light-emitting diode, has substrate, layer with carbon nanotube and/or metal nanorod, and another layer with tungsten oxide, graphene and/or manganese dioxide.

HAN J, LEE G, JEONG H, JEONG S, KIM J, HAN J T, LEE G W, JEONG H J, JEONG S Y, KIM J S

Forming graphene layer on surface of substrate, comprises forming silicon-carbide film on free surface of silicon layer and gradually heating substrate until silicon of first row of atoms of silicon-carbide film is sublimated.

OUERGHI A

Manufacture of graphene nano tape for electronic circuit, involves heating precursor material in vacuum in presence of anisotropic metal having specified surface redox potential.

ZHONG D, CHI L, ZACHARIAS H, FUCHS H, MUELLEN K, FENG X, MULLEN K, CHII1 4 L

Apparatus for growing carbon nanostructure i.e. graphene, on fiber for current carbon nanotube synthesis technique, has substrate inlet sized before growth zones to allow spoolable length substrate to pass through growth zones.

MALECKI H C, DAHNE J L, LOEBACH J P, GAIGLER R L, LEDFORD J T, MALECKI H, DAHNE J, LOEBACH J, GAIGLER R, LEDFORD J

Producing isolated crystalline graphene, useful for manufacturing an electronic device e.g. programmable logic device, comprises forming a composition comprising magnesium and carbon, and isolating graphene from the composition.

HOSMANE N S, CHAKRABARTI A

Dispersion useful as a printing ink for producing electrically conductive films, comprises carbon nanotubes and graphene platelets.

RUDHARDT D, BUESGEN T, EIDEN S, LANDEN D D, BEHNKEN G