国家/地区 |
美国(14)![]() |
IPC部 |
B(14)![]() |
IPC大类 |
B82(14)![]() |
IPC小类 |
C01B(14)![]() |
IPC |
C01B031/04(14)![]() |
发明人 |
JO T(2)
JO T J(2)
KIDEOK S(2)
KOKUNI T(2) LEE S(2) LEE S H(2) NAGATA T(2) OGUNI T(2) OSADA T(2) PARK S(2) SEULKI P(2) SONG K(2) SONG K D(2) SUNHYOUNG L(2) TAE J J(2) |
公开年 | 2013(3) 2017(3) 2011(2) 2012(2) 2015(2) |
申请年 | 2011(3) 2014(3) 2012(2) 2017(2) |
专利权人 | ILJIN MATERI.(2) SEMICONDUCTO.(2) |
JO T J, LEE S H, PARK S, SONG K D, TAE J J, SUNHYOUNG L, SEULKI P, KIDEOK S, JO T, LEE S, SONG K
JO T J, LEE S H, PARK S, SONG K D, TAE J J, SUNHYOUNG L, SEULKI P, KIDEOK S, JO T, LEE S, SONG K
SANTHANAM K S V, KANDLIKAR S G, MEJIA V, YUE Y
LI A W, HUNT J H, HOWE W R
KIM K, JEGAL J, KIM H K, YOON S, KIM M, KWANGBUM K, JONGPIL J, SEONGMIN B, HYUN K K, SEUNGBUMYOON, KIMMYEONGSEONG
FREER R, NORMAN C, LIN Y, SRIVASTAVA D, KINLOCH I
LIU Z, ZHENG M, MARTENS R I, MARTENS R
OGUNI T, OSADA T, TAKEUCHI T, KOKUNI T, NAGATA T