国家/地区 美国（4） 中国（3） 日本（3） 台湾（2）
IPC部 C（6）
IPC大类 C23（6）
IPC小类 C23C（6）
IPC C01B031/02（4） C23C016/26（4） C30B025/18（4）
H01L021/205（3） H01L021/02（2） H01L021/20（2）
H01L029/06（2） H01L029/16（2） H01L029/778（2）
H01L033/00（2）
发明人 FAN F Y（2） FAN S（2） GI Y（2）
WEI Y（2）
公开年 2013（6）
申请年 2012（6）
专利权人 HON HAI PREC.（2） HONGFUJIN PR.（2） UNIV TSINGHU.（2）

Manufacture of graphene involves coating graphene oxide solution on substrate, drying coated graphene oxide solution on substrate, forming graphene oxide flakes, and growing graphene.

RHO J, PARK W, JUNG M, SEO B, MOON J

Method for manufacturing epitaxial structure of e.g. LED, involves forming graphene layer on epitaxial growth surface, and epitaxially growing epitaxial layer on epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Epitaxial structure comprises substrate having patterned epitaxial growth surface defining grooves, graphene layer covering patterned epitaxial growth surface, and epitaxial layer on patterned epitaxial growth surface.

WEI Y, FAN S, GI Y, FAN F Y

Forming cleaned nanotube-graphene hybrid thin film on a substrate, comprises depositing the nanotube thin-film over a substrate to produce a layer of nanotube thin-film, and removing impurities from surface of layer of nanotube thin-film.

BOL A A, CHANDRA B, KASRY A, MAAROUF A, MARTYNA G J, TULEVSKI G S

Production of graphene involves supplying carbon to heated transition metal surface, and forming graphene on buffer thin-film epitaxially grown on nickel substrate.

FUJII T, SATO M

Direct epitaxial method of graphene by chemical vapor deposition using II-VI semiconductor zinc oxide substrate where graphene-zinc oxide composite is used for piezoelectric device comprises pre-processing substrate and growing graphene.

ZHANG J, HAN D, NING J, HAO Y, CHAI Z, WANG D, YAN Y