国家/地区 中国（21） 美国（10） 世界知识产权组织（8） 台湾（5） 欧洲专利局（EPO）（4） 韩国（3） 澳大利亚（2） 加拿大（2） 日本（2）
IPC部 C（33）
IPC大类 C30（33） C01（12） C23（8）
H01（8） B82（4） B01（2）
C09（2）
IPC小类 C30B（33）
IPC C30B029/02（18） C30B025/18（12） C01B031/04（9）
C23C016/26（7） C01B032/182（5） C01B032/186（4）
C30B025/02（4） B82Y040/00（3） C01B032/184（3）
C23C016/02（3） C30B023/08（3） C30B025/00（3）
C30B029/64（3） H01L021/20（3） B82Y030/00（2）
发明人 CHANG C（3） CHEN X（3） HUANG K（3）
KOU C（3） LI L（3） SUN L（3）
ZHANG Z（3） CHANG C C（2） CHEN Z（2）
HUANG K P（2） JIANG M（2） KOU C S（2）
LI X（2） LIN L（2） LIU Z（2）
公开年 2015（14） 2016（13） 2017（6）
申请年 2015（33）
专利权人 SHANGHAI INS.（4） IND TECHNOLO.（3） UNIV PEKING（3） SEMICONDUCTO.（2）
UNIV SHANDON.（2）

Dry cleaning of copper substrate for preparing chemical vapor deposited graphene, involves subjecting copper substrate to aerobic atmosphere for oxidation to form oxide layer and removing oxide layer from surface of substrate.

ZHANG Y, YU G, GE X, ZHANG H, CHEN Z, SUI Y, DENG R

Preparing graphene mercury cadmium telluride composite film material comprises preparing graphene composite film, then transferring graphene composite film in three stages.

LI B

Production of graphene used in e.g. semiconductor surfaces by depositing carbon on substrate, involves providing substrate of wafer having crystalline layer of germanium with crystallographic orientation in reactor, and evoking gas flow.

PASTERNAK I, STRUPINSKI W

Manufacture of graphene for graphene material, involves purging hydrocarbon gas and auxiliary gas into variable pressure coupled plasma apparatus, applying intermediate frequency electromagnetic wave and dissolving hydrocarbon gas.

HUANG K, ZHANG Z, KOU C, HUANG K P, CHANG C C, KOU C S

Graphene flower and composite material which includes introducing a carbon hydrogen gas and a assistance gas into a transformer coupled plasma equipment.

HUANG K, CHANG C, KOU C, HUANG K P, CHANG C C, KOU C S

Method for manufacturing graphene flower which includes introducing a carbon hydrogen gas.

HUANG K, CHANG C, KOU C

Synthesizing graphene involves annealing substrate in hydrogen gas atmosphere, subsequently undertaking deposition and nucleation step where relatively thick carbon layer is deposited onto substrate, and undertaking graphene growth step.

BOINTON T H, BARNES M D, RUSSO S, CRACIUN M, HARDISTY BOINTON T

A method of diamond nucleation comprises,providing substrate and forming graphene layer on surface of the substrate.

TZENG Y, CHANG C, TZENG Y H

Preparation of large size single crystal graphene, involves using making copper foil into cavity structure, heat-treating copper cavity with hydrocarbon as carbon source and growing large size single crystal graphene.

BAI X, CAO S, CHEN X, GUO L, WANG L

Method of growing graphene used in e.g. electronic devices, involves heating insulated substrate placed in growing cavity, introducing gas containing catalytic elements into cavity, and pumping carbon source to cavity to grow film.

WANG H, TANG S, LU G, WU T, JIANG D, DING G, ZHANG X, XIE H, XIE X, JIANG M