国家/地区 世界知识产权组织（5）
IPC部 H（5） B（3） C（3）
IPC大类 H01（5） B82（3） C01（3）
IPC小类 H01L（4） B82Y（3） C01B（3）
H01B（2）
IPC B82Y040/00（3） C01B031/02（3） H01B001/04（2）
H01L021/02（2） H01L021/36（2） H01L029/06（2）
H01L031/042（2） H01L033/00（2） H01L033/02（2）
H01L033/12（2） H01L051/50（2）
发明人 KIM S（5）
公开年 2012（5）
申请年 2011（3）  2012（2） 
专利权人 AN S（2） KIM S（2） KUMOH NAT IN.（2） LEE D（2）
LG SILTRON I.（2） SK SILTRON C.（2） UNIST ACADIN.（2）

Graphene sheet used for transparent electrode for e.g. display device, has lower sheet including layers of graphene and ridge formed on lower sheet and includes more layers of graphene.

KWON S, PARK K, KIM S, KWAK J, KWON S Y, KIM S Y, KWAK J S, KIM H

Preparation of graphene for e.g. transparent electrode, involves heating metal foil, increasing size of grains, supplying foil to target substrate, supplying carbon fuel, heating, diffusing carbon atoms and forming graphene on substrate.

KWON S, KIM S, KWAK J, YONG K S, YEOP K S, JINSEONG K

Compound semiconductor manufacturing method, involves forming graphene-derived material layer on selected substrate, and connecting compound semiconductor layer to graphene-derived material layer.

AN S J, LEE D G, KIM S H, AN S, LEE D, KIM S

Compound semiconductor device for light emitting device i.e. LED, has oxidation graphene layer provided with oxidation graphene sheets on part of surface of substrate, and buffer layer arranged between substrate and semiconductor layer.

AN S J, LEE D G, KIM S H, LEE D K, AN S, LEE D, KIM S

Manufacture of graphene used for forming graphene sheet, involves supplying carbon source-containing gas to metal catalyst layer for graphene growth, and forming graphene by inductively coupled plasma-chemical vapor deposition.

AHN J, BAE S K, HONG B H, JANG H, JUNG M H, KIM S J, LEE Y, YOO J B, AHN J H, LIU Z, BAE S, HONG B, LI R, JUNG M, KIM S