国家/地区 日本（4）
IPC部 B（4）
IPC大类 C01（4） H01（4） B82（3）
IPC小类 C01B（4）
IPC B82Y030/00（3） H01L023/532（3） C01B032/186（2）
H01L021/3205（2） H01L021/336（2） H01L021/768（2）
H01L023/522（2） H01L027/11524（2） H01L027/11556（2）
H01L027/1157（2） H01L027/11582（2） H01L029/788（2）
H01L029/792（2）
发明人 KATAGIRI M（3） MIYAZAKI H（3） SAKAI T（3）
YAMAZAKI Y（2） YOSHIDA T（2）
公开年 2018（4）
申请年 2017（4） 
专利权人 TOSHIBA KK（4）

Graphene wiring structure for use in semiconductor device, has multilayer graphene formed on insulating film, where average particle diameter of graphene crystals is larger than width of multilayer graphene.

MIYAZAKI H, SAKAI T, NISHIDA Y, YOSHIDA T, YAMAZAKI Y, KATAGIRI M, SAKUMA N, SAKUMA H

Wiring for semiconductor device, includes first metal portion, multilayer graphene, and second metal portion which are interposed between conductive portions.

KATAGIRI M, SAITO T, SAKAI T, MIYAZAKI H

Oxygen generation catalyst useful in an electrochemical or photoelectrochemical device, comprises a graphene oxide layer, and a nickel-iron layered double hydroxide layer supported on the surface of the graphene oxide layer.

YAMADA A, MIKOSHIBA S, ONO A, KUDO Y, TAMURA J, KITAGAWA R, TSUTSUMI E, YAMAGIWA M, SUGANO Y, MOTOSHIGE A, KANNO Y, TAMURA A

Graphene structure for use in a semiconductor device, comprises a multilayer graphene that is laminated with graphene sheets, where three interlayer materials are presented between the graphene sheets of the multilayer graphene.

MIYAZAKI H, YOSHIDA T, KATAGIRI M, YAMAZAKI Y, SAKAI T