国家/地区 日本（192）
IPC部 C（147） H（133） B（89）
G（19） F（6） D（3）
IPC大类 C01（131） H01（129） B82（51）
B32（24） C08（23） C09（16）
H05（16） C23（15） B01（14）
C07（13） C25（8） G02（8）
B05（7） C22（6） C30（6）
IPC小类 C01B（131） H01L（71） B82Y（50）
H01M（41） H01B（34） B32B（24）
C08K（16） C08L（15） C23C（14）
H05K（12） C07C（11） C09D（11）
H01G（11） B01J（8） C08J（8）
IPC C01B031/02（121） C01B031/04（52） B82Y030/00（40）
B82Y040/00（40） C01B032/182（34） C01B032/15（26）
C01B032/18（23） H01M004/36（20） H01L029/06（18）
H01M004/62（18） B32B009/00（17） H01L051/05（16）
H01L051/30（16） H01M004/133（16） H01M004/587（16）
发明人 YAMAZAKI Y（7） CHENG Q（6） HIBINO H（6）
WADA M（6） FURUKAWA K（5） KAJITA A（5）
MUELLEN K（5） SAITO T（5） SAKAI T（5）
SHIMIZU K（5） TANG J（5） CHIBA Y（4）
FENG X（4） ISOBAYASHI A（4） KATAGIRI M（4）
公开年 2014（103） 2015（49） 2013（40）
申请年 2013（192）
专利权人 DOKURITSU GY.（12） TOSHIBA KK（12） NIPPON TELEG.（10） NAT INST ADV.（8）
FUJITSU LTD（7） SEMICONDUCTO.（7） BASF CHINA C.（6） BASF SE（6）
MAX PLANCK G.（6） NAT INST MAT.（6） DOKURITSU GY.（5） NEC CORP（5）
SEKISUI CHEM.（5） SONY CORP（5） JX NIPPON MI.（4） PANASONIC CO.（4）
UNIV KYUSHU（4） UNIV TOHOKU（4） GUO S（3） KAJITA A（3）

Preparing anthracite based graphene oxide comprises e.g. preparing ultra-clean anthracite powder, adding dispersant, carrying out ultrasonication to prepare dispersion liquid, and preparing graphene oxide colloid solution.

ZHANG L, ZHANG M

Preparing graphene oxide based on mixed acid system comprises e.g. washing graphite, drying, smashing, passing through sieve, preparing graphite powder, adding plugging agent, preparing first acid system and then second acid system.

ZHANG L, ZHANG M

Patterning of graphene oxide film used in production of electronic component, involves depositing graphene oxide film on substrate, reducing portion of film, and producing pattern of reduced graphene oxide area in graphene oxide film.

BORINI S, WEI D, WHITE R, BESSONOV A A

Carbon film e.g. graphene nanoribbon used for electroconductive element and carbon film element, comprises specific polyphenylene polymer, and has specific width or specific shape.

YAMAMOTO S, GOTO D, MIYAGAWA S

Optical device e.g. focal plane array (FPA) or charge coupled device (CCD) camera has layer of graphene that is configured to absorb and scatter portion of electromagnetic radiation incident on layer of graphene.

USHINSKY M, HAERI M

Manufacture of graphene dispersion liquid for manufacture of graphene thin film involves treating material obtained by heating graphite lamellar compound with ultrasonic waves and subjecting ultrasonic process liquid to laser ablation.

KIRINO T, ISHIBASHI A

Production of graphene oxide and/or graphite oxide nanoplatelet structure used for e.g. sensors, involves passing current through cell to intercalate anions into graphitic positive electrode and exfoliating.

ABDELKADER A, KINLOCH I, DRYFE R

Manufacture of graphene powder used for, e.g. electronic components, involves cleaving raw material containing graphite by jet stream of gas at specific speed, and micronizing.

HASEGAWA SHOJI, KAMIYA NAGISA, HASEGAWA S, KAMIYA N

Formation of binder-free hybrid carbon nanotube and graphene nanostructure for energy devices, involves forming on substrate, depositing catalyst particles and growing nanotubes on graphene layer using ethylene/hydrogen mixture.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M

Energy device used in supercapacitor application, comprises porous metal substrate, graphene layer deposited onto surface of porous metal substrate, carbon nanotubes, and metal oxide nanostructures.

WANG W, GUO S, OZKAN C S, OZKAN M