国家/地区 韩国（716）
IPC部 C（716）
IPC大类 C01（716） H01（69） B01（19）
B82（19） C09（11） C23（11）
C08（8） B32（6） B05（5）
C12（5） A61（4） G01（4）
C04（3） C07（3） A41（2）
IPC小类 C01B（716）
IPC C01B031/04（709） C01B032/182（24） C01B031/02（18）
H01L041/18（18） H01L041/22（17） B82Y040/00（13）
B82Y030/00（11） C01B032/194（9） H01L029/16（9）
C01B032/19（7） C01B032/198（7） C23C016/26（7）
H01L041/08（7） H01M010/052（7） B01J019/08（6）
发明人 LEE Y T（584） SOHN K N（9） KWON W J（8）
LEE M J（7） KIM K S（5） KIM S（5）
LEE H（5） LEE J（5） PARK S（5）
PARK S H（5） YANG S B（5） CHOI J H（4）
KIM H（4） LEE K S（4） SOHN K（4）
公开年 2016（716）
申请年 2015（716）
专利权人 LEE Y T（584） LG CHEM LTD（11） KOREA ADVANC.（7） UNIST ULSAN .（7）
UNIV SEOUL N.（7） UNIV SUNGKYU.（7） SAMSUNG ELEC.（5） KIGAM KOREA .（4）
KOREA INST S.（4） UNIV HANYANG.（4） UNIV YONSEI .（4） BASIC SCI IN.（3）
HANWHA TECHW.（3） KOLON IND IN.（3） KOREA INST C.（3） LEE S K（3）
LG CHEM CO L.（3） UNIV RICE WI.（3） UNIV RICE WI.（3） ALLIED RAY T.（2）

Manufacture of ultra-thin cobalt oxide nanotube-intercalated graphene composite used as electrode for supercapacitor, involves mixing oxidized graphene dispersion and cobalt precursor solution, adding ammonia solution, and heating slurry.

SHIM J J, VAN HOA N

Producing surface-modified graphene quantum dots useful as surfactant, comprises e.g. preparing mixture by dissolving e.g. 4-dimethylaminopyridine, graphene quantum dot in solvent, adding N,N'-dicyclohexylcarbodiimide, heating and cooling.

CHO H H, KIM B

N-doping of graphene for N-doped graphene oxide/graphene bilayered structure, involves forming graphene oxide by oxygen-plasma treatment of graphene, transferring graphene oxide to another graphene and doping with functional group.

CHO H J, SEO Y M, WHANG D

Active sensor element comprises e.g. a transistor placed on a first substrate and having a graphene channel layer and source and drain electrodes formed on both sides of graphene channel layer, and a second substrate formed on transistor.

PARK W, CHUN S

Graphene-silicon composite used in electrical device e.g. secondary battery and capacitor, comprises graphene sheet comprising single or several graphene layers, and silicon-containing layer formed on graphene layers.

KIM D, LEE H

Apparatus for manufacturing graphene, comprises reaction chamber for providing internal space in which graphene growth plate is accommodated.

CHOI I S, CHOI M H, LEE H S, LEE K J, PARK D Y, PARK J H

Manufacture of graphene involves supplying carbon source having carbon-carbon triple bond(s) into chamber having substrate, and irradiating light from flash lamp to carbon source such that graphene is formed on substrate.

CHOI I S, CHOI M H, LEE H E, LEE H S, LEE K J, PARK D Y

Producing graphene, comprises coating a solid carbon source material on a catalytic metal, irradiating the solid carbon source material with light, and forming graphene from the solid carbon source material on the catalytic metal.

CHOI I S, CHOI M H, LEE H S, LEE K J, PARK D Y, PARK J H

Transferring graphene used in organic electroluminescent device, involves immersing metal catalyst and graphene sequentially deposited on substrate in polar solvent and then separating immersed metal catalyst and graphene from substrate.

CHOI S Y, PARK H M

Packing apparatus for protecting graphene, comprises synthesizing chamber for defining space for synthesizing graphene on metallic foil, and first and second roll chamber formed respectively on both sides of synthesizing chamber.

CHO S W, KIM K S, KIM Y J, LEE I B