国家/地区 台湾（52）
IPC部 C（52）
IPC大类 C01（52） B82（37） H01（21）
C23（10） C07（8） C25（8）
B01（7） B32（6） C08（5）
B05（4） G11（3） B21（2）
C02（2） C22（2） D01（2）
IPC小类 C01B（52）
IPC C01B031/04（52）
发明人 FAN S（8） FENG X（7） JIANG K（7）
LIN X（7） MUELLEN K（7） MULLEN K（7）
MILLEN K（4） NOMOTO K（4） SCHWAB M G（4）
SCHWAB M G S（4） CHEN J（3） GUO J（3）
GUO J W（3） HE X（3） LI J（3）
公开年 2013（52）
申请年 2012（37）  2013（9）  2011（6） 
专利权人 HON HAI PREC.（11） HONGFUJIN PR.（11） UNIV TSINGHU.（11） BASF SE（6）
MAX PLANCK G.（6） SEMICONDUCTO.（6） BASF AG（5） BASF CHINA C.（5）
ENERAGE INC（3） JX NIPPON MI.（3） NIPPON MININ.（3） UNIV NAT TSI.（3）
CHUNG SHAN I.（2） EMPA MATERIA.（2） FENG X（2） HSIEH Y（2）
HUANG K（2） IND TECHNOLO.（2） IND TECHNOLO.（2） LIN H（2）

Graphene powder for preparing lithium ion battery electrode, comprises compound having catechol group that adsorbs on graphene, e.g. catechol, dopamine hydrochloride, 3,4-dihydroxyphenylalanine, noradrenalin, and caffeic acid.

SUN P, LIU G, WU Z, WU G, TAMAKI E, KUBOTA Y

Manufacture of metal-doped oxidized graphene used as intermediate for manufacturing capacitor, involves adding graphite to sulfuric acid, sulfonating, adding nitric acid, performing laser ablation and adding hydrochloric acid.

ISAWA K, KOYANAGI M, MAKINO T, SHIBUYA A, IZAWA K

Graphene nanoribbon used for e.g. spintronic device, contains repeating unit having modification(s) chosen from heteroatomic substitution, vacancy, stone-wales defect, inverse stone-wales defect, and hybridized carbon network.

FASEL R, RUFFIEUX P, MUELLEN K, CAI J, FENG X, BERGER R, TSAI J, CAI Y, MULLEN K, MILLEN K

Fabricating graphene comprises inserting first electrode that is graphite multilayer material and second electrode into electrolyte without contacting, producing potential difference and permitting liquid to enter into first electrode layer.

LING Y, WANG C, LIU J, LING Y C, WANG C P, LIU J Y

Composite structure, useful for a transparent electrode in display panels of mobile phones and tablet personal computers, comprises nanofiber substrate, graphene layer disposed on a surface of a net structure and organic compound.

MA C M, HUANG Y, YANG S, TIEN H, MA M C, WANG N

Epitaxial structure used in light emitting device e.g. LED based on group III-V nitride semiconductor e.g. gallium nitride, comprises substrate, epitaxial layer disposed on substrate, and graphene layer disposed between substrate and layer.

WEI Y, FAN S

Making graphene layer used as transparent electrode layer in optoelectronic devices, comprises e.g. forming metal layer on first side of substrate, forming carbon source layer on metal layer and irradiating second side of substrate by laser.

CHUEH Y, DING J, LIN H, HUANG Y, QUE Y

Preparation method for graphene composite material characterized by greatly increasing surface area, electric conductivity and charge/discharge speed of electric capacitance.

WU Y, XIE C, ZHANG Y, PENG C, CHEN J, LIN G, LIN J

Making strip shaped graphene layer used on semiconductor devices involves providing graphene film on metal substrate; adhering nanotube structure with strip-shaped gap on graphene film; applying voltage to nanotube graphene structure.

LIN X, JIANG K, FAN S

Making strip shaped graphene layer involves disposing carbon nanotube structure comprising drawn carbon nanotube film including carbon nanotubes on graphene film; removing graphene film and carbon nanotube structure.

LIN X, JIANG K, FAN S