国家/地区 韩国（193）
IPC部 H（124） C（110） B（89）
G（17） D（9） A（2）
IPC大类 H01（119） C01（71） B82（61）
C23（28） C08（27） B05（21）
B32（19） B01（18） C09（11）
G01（10） H05（8） B29（7）
D01（7） B44（5） C12（5）
IPC小类 H01L（76） C01B（71） H01B（38）
B82B（35） B82Y（32） C23C（28）
B05D（21） C08K（20） B32B（19）
C08L（15） B01J（14） C08J（13）
H01M（11） G01N（8） H01J（8）
IPC C01B031/02（63） C01B031/04（35） B82B003/00（31）
B82Y030/00（27） B82Y040/00（24） H01B001/04（24）
C08K003/04（16） C23C016/26（14） B32B009/00（12）
B82B001/00（11） H01L021/20（10） H01B001/24（9）
B01J019/08（8） C08J005/18（8） H01L029/786（8）
发明人 HWANG S W（19） CHUNG H J（17） HONG B H（16）
SONE C S（12） CHOI J（11） CHOI J Y（9）
KIM H K（8） LEE J H（8） SEO S A（8）
HEO J S（7） CHUNG H（6） HEO J（6）
KIM J S（6） KIM T（6） LEE J（6）
公开年 2011（108） 2012（71） 2010（14）
申请年 2010（193）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（27） UNIV SUNGKYU.（22） SAMSUNG LED .（19） KOREA ADV IN.（12）
SAMSUNG TECH.（8） UNIST ACADIN.（7） GRAPHENE SQU.（6） UNIV SUNGKYU.（6）
KOREA ADVANC.（5） LEE J H（5） UNIV SUNGKYU.（5） KOREA ELECTR.（4）
KOREA INST M.（4） KUMOH NAT IN.（4） LETTOW J S（4） UNIV HANYANG.（4）
UNIV ULSAN F.（4） VORBECK MATE.（4） AKSAY I A（3） ELECTRONICS .（3）

Ion device useful in apparatus for analyzing DNA, comprises chamber comprising first and second regions, first electrode in first region, second electrode in second region, and graphene layer between first and second electrodes.

KIM K B, KIM H M, LEE M H

Graphene transistor manufacturing method involves forming drain and gate electrode on insulating layer that is laminated between source and drain regions.

LEE K J, CHOI I S, CHOI S Y, HONG B H

Method for manufacturing pulsed laser using graphene prepared by mechanical exfoliation, involves controlling graphite thickness and coating optical fiber end supported to optical fiber ferrule.

SONG Y W

Manufacture of graphene involves preparing mixed solution of graphite powder, saccharide and oxidizing agent, centrifuging obtained solution, extracting, and heating.

OH W T, KIM J S, KOO M S, KIM D H

Graphene-polyamide composite fiber has core component containing polyamide resin, and shell layer containing polyamide resin, graphene and conductive filler.

YUN S K, KWON M H, YANG C M, KIM W S

Manufacture of nitrogen-containing graphene involves reacting natural graphite and nano carbon fiber powder, and replacing nitrogen functional group within lattice of graphene by processing in nitrogen atmosphere.

IK P H, IL J B, JUNG C A, SEI M P, YONG J K

Graphene electronic component e.g. radio frequency (RF) transistor, has gate electrode that is arranged on protective layer which is formed identical to shape of graphene channel layer between source electrode and drain electrode.

CHUNG H J, HEO J S, YANG H J, SEO S A, LEE S H, CHUNG H, HEO J, YANG H, SEO S, LEE S

Quantum dot light emitting device e.g. LED used in display for lighting, has graphene quantum dot that is fixed on electron-transport layer and hole-transport layer is arranged above light-emitting layer.

HWANG S W, KIM J S, CHUNG H J, CHA N G, SONE C S

Graphene light emitting device, has multi-layer structure equipped with graphene that is prepared on substrate, insulating layer prepared on quantum dots that are formed on grapheme, and N type electrode prepared on substrate.

KIM J S, HWANG S W, CHA N G, PARK S E, SUNG Y K, SONE C S

Composition used for manufacturing graphene/polyimide electroconductive composites, comprises polyamic acid and graphene oxide.

LEE S H, NA S I, KU B C, KIM J K, HO L S, IN N S, CHEOL G B, GYEONG K J