国家/地区 中国（247）
IPC部 B（247）
IPC大类 B82（154） C01（126） H01（87）
B01（66） B32（42） C23（26）
C08（18） C09（15） C02（12）
C07（12） B05（10） B22（10）
A62（8） C03（7） B29（6）
IPC小类 B82Y（152） C01B（124） B01J（63）
B32B（42） H01M（39） H01L（38）
C23C（25） H01B（21） B82B（16）
C08K（16） C08L（13） C02F（12）
B05D（10） B22F（10） C08J（9）
IPC B82Y040/00（121） C01B031/04（99） B82Y030/00（82）
C01B031/02（61） B32B009/04（20） B32B009/00（14）
C23C016/26（14） H01B001/04（14） B01J021/18（13）
C01B031/00（13） B82B003/00（12） B82Y099/00（12）
C08K003/04（12） H01L029/16（12） H01M004/36（12）
发明人 ZHANG X（13） ZHOU M（13） WANG Y（12）
JIANG K（9） LIN X（9） MA Y（9）
ZHANG D（9） FAN F Y（8） FAN S（8）
WANG X（8） XIAO L（8） ZHANG H（8）
CHEN J（7） LI Y（7） WANG W（7）
公开年 2012（142） 2011（70） 2013（35）
申请年 2011（247）
专利权人 HON HAI PREC.（10） HONGFUJIN PR.（10） UNIV ZHEJIAN.（10） UNIV TSINGHU.（9）
HAIYANGWANG .（7） INT BUSINESS.（7） OCEANS KING .（7） SHENZHEN OCE.（7）
UNIV TIANJIN（7） SAMSUNG ELEC.（6） UNIV SHANGHA.（6） CHANGZHOU CA.（5）
UNIV NANJING.（5） UNIV SOUTHEA.（5） NAT CENT NAN.（4） NAT CENT NAN.（4）
NOKIA CORP（4） TANYUAN TECH.（4） UNIV DONGHUA（4） UNIV PEKING（4）

Apparatus e.g. graphene-based metal-insulator-metal diode for use in e.g. rectenna of personal digital assistant, has layers of electrically conductive material separated by layer of optically transparent electrically insulating material.

COLLI A, AWAN S A, LOMBARDO A, ECHTERMEYER T J, KULMALA T S, FERRARI A C, AWAN S, KULMALA T, FERRARI A, ECHTERMEYER T

Mercury-free and precious metal-free catalyst used for preparing chloroethylene, comprises carbon, graphite, graphene or carbon nano tube as carbon carrier, and reactive metal loaded on carbon carrier.

FENG L, GAN Y, ZHANG S

Mercury-free and precious metal-free catalyst for preparing chloroethylene, is prepared by loading metallic element complex with bidentate ligand or tridentate ligand on carbon carrier comprising activated carbon or graphene.

FENG L, GAN Y, ZHANG S

Manufacturing method for semiconductor structure, e.g. graphene FET involves forming graphene FET on seed material, and removing seed material.

ADKISSON J W, DUNBAR T J, GAMBINO J P, LEITCH M J, LEACH M, LEACH M J

Isocyanate group-modified carbon material contains diisocyanate compound in which isocyanate group couples with graphene-type carbon material.

WADA T, TSUBOKAWA N, TAKUYA W

Formation of patterned graphene layer on substrate used for low-noise amplifier, involves forming patterned structure(s) of carbide-forming metal or metal-containing alloy on substrate, applying layer of graphene and heating.

AFZALIARDAKANI A, MAAROUF A, MARTYNA G J, SAENGER K, AFZALIARDAKANI A C O I

Preparation of graphene/oxide composite material catalyst for air electrode of lithium air cell, involves using graphene and oxide as catalyst, dispersing into solution, reducing oxidized graphene turbid liquid, washing and drying.

GU H, SUN B, WANG G, ZHU Y

Nanometer adsorption material is composite material of iron oxide, graphene and magnesium-aluminum hydroxide having preset molar ratio of iron, magnesium, aluminum and carbon.

XU A, WU X

Making graphene nano-sheets, by placing expandable graphite within chamber, applying vacuum to the chamber, and applying electric current to induction heat expandable graphite within chamber under vacuum to form expanded graphite.

WU Y, GARDNER S J, YU Y

Manufacture of graphene used for e.g. transistor, involves adding substrate to reaction chamber, vacuumizing, introducing inert gas, maintaining oxygen-free atmosphere, generating plasma and introducing organic gas and inert gas.

WANG Y, YUAN X, ZHOU M