国家/地区 欧洲专利局（EPO）（48）
IPC部 B（37） C（36） H（29）
G（9）
IPC大类 C01（33） B82（31） H01（28）
C08（14） B01（7） B32（6）
C07（6） C23（6） G01（5）
B05（4） C25（4） G02（4）
H05（4） C09（3） B21（2）
IPC小类 C01B（33） B82Y（31） H01L（17）
C08K（9） C08L（9） H01B（9）
B32B（6） B82B（5） C08G（5）
C08J（5） C23C（5） B01D（4）
B05D（4） C07C（4） C08F（4）
IPC C01B031/04（28） B82Y030/00（25） C01B031/02（20）
B82Y040/00（19） C08K003/04（9） H01B001/04（6）
B32B009/00（5） B82B003/00（5） B82Y099/00（5）
C01B032/20（5） C23C016/26（5） H01L029/06（5）
H01L029/16（5） B05D005/12（4） C01B031/00（4）
发明人 FENG X（4） MUELLEN K（4） MULLEN K（4）
FISHER T S（3） SCHVAB M G（3） SCHWAB M G（3）
SCHWAB M G S（3） BEDWORTH P V（2） CHIBA G（2）
CHIBA Y（2） KUMAR A（2） MILLEN K（2）
REDMOND K（2） SCHEFFER D（2） STETSON J B（2）
公开年 2013（48）
申请年 2012（48）
专利权人 BASF AG（4） BASF SE（4） BASF CHINA C.（3） FISHER T S（3）
MAX PLANCK G.（3） NOKIA CORP（3） NOKIA TECHNO.（3） PURDUE RES F.（3）
SAMSUNG ELEC.（3） VORBECK MATE.（3） BOE TECHNOLO.（2） JX NIPPON MI.（2）
KUMAR A（2） LOCKHEED COR.（2） LOCKHEED MAR.（2） NIPPON MININ.（2）
NIPPON MININ.（2） TOUR J M（2） UNIV RICE WI.（2） VORBECK MATE.（2）

Semiconductor device, used as FET, comprises bilayer graphene including adjacent graphene layers, electrically insulating layer having insulating material and substance for creating free charge carriers, and electrically insulating region.

NOURBAKHSH A, CANTORO M, HUYGHEBAERT C, HEYNS M, DE GENDT S, DEGENDT S

Interconnect structure for integrated microelectronic circuit, has graphene cap which is provided with edges that are vertically coincident with edges of copper structure.

BONILLA G, DIMITRAKOPOULOS C D, GRILL A, HANNON J B, LIN Q, NEUMAYER D A, OIDA S, OTT J A, PFEIFFER D, DIMITRAKOPOULOS C, HANNON J, NEUMAYER D, OTT J, DIMITRAKO P C D, GREER A

Tin-based material, useful in a photoresistor, a thermoresistor and touch applications such as screens, keyboards and touch pads, comprises graphene, tin dioxide doped with antimony, and tin dioxide doped with indium.

ALIANE A, BENWADIH M

Preparation of graphene paper involves introducing protective gas into reaction chamber having clean substrate, heating substrate, continuously introducing carbonaceous material and cooling to obtain graphene paper on substrate surface.

WANG Y, YUAN X, ZHOU M

Deionizing solution involves functionalizing graphene sheet apertures to repel first ions in solution that also inhibits transit of second ions and passing solution by flow path to form deionized solution on solution flow path output side.

HO G S, BENNETT R G, BEDWORTH P V, STETSON J B

Polyamide composition, useful for producing a molded part, comprises polyamide, an electrically conductive carbon comprising carbon nanotubes and graphene, an oligofunctional compound, and optionally conventional auxiliaries and additives.

HAEGER H, WURSCHE R, HERMASCH S A, JAKISCH L, KRAUSE B, POETSCHKE P, SOCHER R, HEGEL H, JAKISH L, PERCHIK P, WUSHER R, KHERMASH Z A, YAKISH L, KRAUZE B, PECHKE P, ZOKHER R, HAGER H, POTSCHKE P, HAEGER H D, WURSCHE R D, HERMASCH S A D, JAKISCH L D, KRAUSE B D, POETSCHKE P D

Production of graphene-polymer nanocomposite used for heat-insensitive polymer composition for e.g. pipe, involves providing aqueous suspension of graphene, mixing with aqueous polymer latex, obtaining liquid mixture and co-coagulating.

GAUTHY F, SANGUINETI A, DAPRILE F, DORAZIO P, D APRILE F, D ORAZIO P

Memory cell switch for reversibly opening and closing circuit, has ferroelectric material formed between graphene structure and conductive structure, where conductive structure provides switch into on and off states.

SANDHU G S, SANDHU G

Manufacturing electrical conductor, comprises providing substrate layer, depositing surface layer on substrate layer, and depositing graphene layer on substrate layer.

SULLIVAN M M E, HILTY R D, MARTENS R I, ZHENG M, HEMOND J H B, LIU Z, SULLIVAN MALERVY M E, SULLIVAN MALERVY M, HILTY R, MARTENS R, HEMOND J, SULLIVANMALERVY M E

Making graphene-carbon nanotube hybrid material, comprises applying catalyst and carbon source to graphene film, and growing carbon nanotubes on film, where grown carbon nanotubes are in ohmic contact with film at junctions.

TOUR J M, ZHU Y, LI L, YAN Z, LIN J, JU Y