国家/地区 世界知识产权组织（91）
IPC部 C（91） B（64） H（47）
G（7） D（2）
IPC大类 C01（91）
IPC小类 C01B（91） B82Y（39） H01L（21）
H01B（17） H01M（15） B01J（13）
H01G（11） C23C（10） B82B（9）
B32B（8） B05D（7） C07C（6）
B01D（5） C30B（5） C04B（4）
IPC C01B031/04（68） C01B031/02（51） B82Y040/00（32）
B82Y030/00（27） C01B032/182（14） H01B001/04（9）
C23C016/26（8） H01B013/00（8） H01G011/36（8）
H01M004/133（8） B32B009/00（7） B82B003/00（7）
C01B032/184（7） B82B001/00（6） C01B032/186（6）
发明人 YOON J（4） YOON J H（4） DUERKSEN G L（3）
LI Y（3） MILLER S A（3） SATO M（3）
CAI J（2） CHEN Z（2） CHENG Q（2）
CHIBA Y（2） CHIBA YOSHIHIRO（2） FASEL R（2）
FENG X（2） FUJII T（2） GUO S（2）
公开年 2014（91）
申请年 2013（91）
专利权人 EMPIRE TECHN.（5） HANWHA TECHW.（5） SAMSUNG TECH.（5） NIPPON MININ.（4）
BASF CHINA C.（3） BASF SE（3） DOKURITSU GY.（3） HANWHA AEROS.（3）
MAX PLANCK G.（3） NAT INST ADV.（3） CHEN Z（2） FUJI ELECTRI.（2）
GRAPHENEALL .（2） JX NIPPON MI.（2） LG ELECTRONI.（2） NAT INST MAT.（2）
UNIV CALIFOR.（2） UNIV NANYANG.（2） VORBECK MATE.（2） YU A（2）

Reduced graphene oxide-silver phosphate used for photodegradation of organic textile dyes, comprises preset amount of reduced graphene oxide and silver phosphate.

DAS D P, SAMAL A, DAS J, DASH A

Material useful in electric device, comprises reduced graphene oxide, where degree of reduction of graphene oxide exhibits spatial variation so that material exhibits gradient in electric conductivity and/or permittivity.

LOGAKIS E, SKORDOS A, CHATZI P

Semiconductor structure for semiconductor device comprises graphene material and graphene-lattice matching material over at least a portion of graphene material.

MEADE R E, PANDEY S C

Manufacture of metal oxide-graphene nanocomposite used for electrode, involves preparing synthetic material of nanocomposite using cobalt chloride hydrate and/or distilled water, hydrothermally treating, and forming graphene flakes.

KIM C K, KIM S W, JEONG G H, LEE H M

Proton battery for biological sensors, mobile devices, and electric vehicles comprises anode formed of graphene oxide from acidic pH, cathode from pH greater than acidic pH of anode, and charge collectors deposited on anode and cathode.

WEI D, BORINI S M, WHITE R, KIVIOJA J, BORINI S

Manufacture of graphene material used as e.g. catalyst carrier, involves adding graphene oxide to dispersion medium, obtaining graphene oxide suspension, spray-drying resultant suspension and reducing graphene oxide particles.

WANG Y, HONG M

Graphene film used in an electrode is obtainable by epitaxially growing metal layer on surface of substrate, peeling off the metal layer, and depositing graphene onto surface of metal layer.

WODTKE A, YU H K, ALEC W, HAK KI Y, YU H, YUK H K, YUK H

Synthesizing graphene nanoribbon used in e.g. field effect transistor or bipolar junction transistor, comprises polycyclization of linearly conjugated aryl compounds to provide graphene nanoribbon precursor.

KLEIN J P

Filtering or solid-liquid separation membrane, has graphene compounds provided in matrix layer and dispersed in polymer in matrix layer, where polymer is formed by interfacial polymerization, and compounds increase rejection of matrix layer.

KRISHNA K M, BHATTACHARYYA A, DEVI R M, PHADKE M, KLISHINA K M, BATACHAYA A, DEVIE R M, PHADKE M A

Graphene fiber used for lightweight flexible lead wire, comprises metallic nanowires in preset mass ratio, and graphene sheets arranged in parallel along axial direction of graphene fiber.

ZHOU X, XU Y, GAO C, XU Z