国家/地区 中国（474） 世界知识产权组织（13） 欧洲专利局（EPO）（3） 韩国（3） 美国（3） 澳大利亚（2） 加拿大（2） 台湾（2）
IPC部 C（229） H（159） B（122）
G（64） A（57） F（22）
D（21） E（4）
IPC大类 H01（133） C01（62） B01（57）
C08（53） C09（53） G01（49）
A61（37） H05（28） C02（23）
B82（21） C04（20） C25（17）
A47（12） B29（12） C22（11）
IPC小类 H01M（78） C01B（59） B01J（41）
C08L（39） C09D（39） C08K（38）
G01N（34） H01L（27） C02F（23）
B82Y（21） C04B（20） C08J（19）
H05K（18） A61N（16） B01D（15）
IPC H01M004/62（40） H01M010/0525（38） C08K003/04（34）
C01B032/194（18） H01M004/36（18） B82Y040/00（16）
B82Y030/00（15） C01B032/184（14） C09D007/61（14）
C08K003/22（13） A61N005/06（11） C09D005/08（11）
C09D007/62（11） H01M004/58（11） B01J027/24（10）
发明人 WANG J（484）
公开年 2021（282） 2022（189） 2023（13）
申请年 2021（484）
专利权人 SHANGHAI NAT.（13） BEIJING GRAP.（11） SHANGHAI XIF.（10） DONGGUAN JIN.（8）
INST SEMICON.（8） UNIV NORTHWE.（8） ANHUI GLANT .（6） GUANGDONG YI.（6）
UNIV NORTH C.（6） WANG J（6） LANZHOU CHEM.（5） UNIV HARBIN .（5）
UNIV SHAANXI.（5） UNIV TSINGHU.（5） CHANGZHOU ME.（4） CHINA PETROL.（4）
GUANGDONG OV.（4） SHANGHAI POL.（4） UNIV ANHUI S.（4） UNIV NORTH C.（4）

Electroluminescent device used in display device, comprises light emitting layer and carrier transport layer disposed between top electrode and bottom electrode, doped conductive polymer layer provided between light emitting layer and carrier transport layer.

WANG J, MA X, LI L, XIA S, FU S

High temperature furnace tube for use in semiconductor process, has supporting plate distributed with multiple layers for supporting multiple substrates, where each substrate is placed on each layer of supporting plate.

WANG H, ZHANG S, SHEN H, LV C, ZHOU D, KIM J, PARK J S, WANG J, JIA S, ZHANG X, KIM Y

Cold source diode used for controlling conduction between word line and bit line of memory, comprises substrate and PN junction comprising semiconductor layers, and metal layer stacked on substrate in sequence.

HOU Z, ZHANG Q, WANG J, DONG Y, XU J J

Auxiliary treating patch for graphene, has graphene that is provided with heat generating layer, water-proof ventilating layer, absorbing layer and medicine layer, which sequentially from top to bottom.

WANG J

Synthesizing metal-organic framework-modified magnetic nanoprobe with aluminum ion by dispersing ferroferric oxide magnetic beads in n-hexane containing graphene oxide, calcining and reacting with solution containing aluminum chloride.

GAO M, LI J, XIA Y, HUANG L, ZHANG X, WANG J

Preparing graphene-shaped two-dimensional ferric oxide nanosheet/zinc oxide nanorod complex photoelectrode, comprises e.g. using prepared zinc oxide nanorod arrays, and graphene-shaped two-dimensional ferric oxide nanosheets.

QIN Y, WANG Z, WANG J

Cathode active material useful in secondary battery of an electric device, comprises silicon oxide particles, where bulk phase of silicon oxide particle comprises conductive components.

WANG J, LV Z

Selectively recovering lithium from lithium manganese iron phosphate, comprises reacting lithium manganese iron phosphate powder with sulfuric acid solution.

WANG J, WANG J P

Selectively recycling lithium from lithium iron phosphate comprises reacting lithium iron phosphate powder with sulfuric acid solution.

WANG J, WANG J P

Preparation of silicon oxide composite material used as e.g. negative electrode, involves granulating and calcining mixed material containing mixture of premixed material of metal oxide and carbon source and mixture of silicon oxide.

WANG T, WANG J, YANG C, ZHANG Y