国家/地区 英国（5）
IPC部 C（5） H（5） B（3）
IPC大类 C01（5） H01（5） C23（4）
B82（2） C30（2）
IPC小类 C01B（5） H01L（5） C23C（4）
B82Y（2） C30B（2）
IPC C01B032/186（4） C23C016/26（4） C01B032/182（3）
C01B032/184（2） C23C016/455（2） C23C016/56（2）
C30B025/18（2） C30B029/02（2） H01L021/02（2）
H01L029/16（2） H01L043/14（2）
发明人 GUINEY I（5） DIXON S（3） THOMAS S（3）
BADCOCK T J（2） GLASS H（2） GRIFFIN R M（2）
KAINTH J（2） TYLER M（2） WALLIS R（2）
公开年 2022（3） 2021（2）
申请年 2020（2）  2021（2） 
专利权人 PARAGRAF LTD（5）

Wafer used to chemical vapor deposition growth of uniform graphene comprises planar silicon substrate, insulating layer provided across silicon substrate, and barrier layer provided across the insulating layer.

DIXON S, KAINTH J, JAGT R, GUINEY I, BADCOCK T J

Forming a graphene layer structure used in Hall effect sensor, involves providing growth substrate having growth surface, and forming graphene layer structure on growth surface by chemical vapor deposition method, where growth surface is formed of material consisting of e.g. magnesium aluminate.

GRIFFIN R M, THOMAS S, GUINEY I, DIXON S

Manufacturing electronic device precursor e.g. organic LED, involves providing silicon wafer having growth surface, forming insulative layer on growth surface, forming graphene monolayer or multi-layer structure on insulative layer, forming further layers and/or electrical contacts.

BADCOCK T J, KAINTH J, DIXON S, GUINEY I, GRIFFIN R M

Producing polymer-coated graphene layer structure involves e.g. adding substrate to reaction chamber, supplying flow comprising precursor compound to form graphene layer structure, heating and spin-coating using polymer or polymer precursor.

GLASS H, GUINEY I, TYLER M, WALLIS R, THOMAS S, TAYLOR M

Production of electronic device such as integrated circuit board, involves providing substrate, supplying flow comprising precursor compound, selectively laser ablating graphene, and selectively laser ablating surface of substrate.

GLASS H, GUINEY I, TYLER M, WALLIS R, BAINES R, THOMAS S