国家/地区 韩国（239） 美国（90） 世界知识产权组织（22） 中国（9） 欧洲专利局（EPO）（8） 日本（6）
IPC部 C（143） H（137） B（96）
G（38） A（10） D（5）
F（2）
IPC大类 H01（130） C01（112） B01（47）
B82（34） C23（33） B32（22）
G01（22） H05（15） C08（13）
A61（10） C09（10） C25（10）
C07（9） G02（9） B05（7）
IPC小类 C01B（110） H01L（92） B01J（38）
C23C（31） B82Y（26） H01B（26）
B32B（22） B82B（15） H01M（15）
H01G（13） G01N（12） H05K（10）
C08K（8） G02F（8） B01D（7）
IPC C01B031/04（56） C01B031/02（51） H01L029/16（25）
B82Y040/00（20） H01L021/02（19） H01L029/786（18）
B82Y030/00（14） B32B009/00（13） H01B005/14（12）
B82B003/00（11） C23C016/26（11） H01B001/04（11）
B01J021/18（10） C01B032/194（10） H01L029/66（10）
发明人 LEE H（41） CHOI J（22） CHOI J Y（21）
SHIN H J（17） WHANG D M（16） KIM S（15）
LEE Y（14） SHIN H（14） AHN J（13）
KIM S W（12） LEE J（12） LEE Y H（12）
WHANG D（12） HONG B H（11） LEE H Y（11）
公开年 2014（37） 2013（31） 2021（31） 2022（25） 2015（23） 2017（21） 2016（18） 2023（13） 2011（12） 2012（11） 2020（11） 2018（4） 2019（3） 2010（2）
申请年 2013（33）  2015（32）  2021（32）  2014（27）  2012（25）  2020（24）  2011（19）  2019（13）  2016（9）  2018（8）  2010（6）  2022（6）  2009（4）  2017（4） 
专利权人 UNIV SUNGKYUNKWAN RES BUSINESS FOUND（243）

Optical sensor using Schottky junction, has upper electrode that is extended from above insulating layer, connected to upper end of semiconductor material, and configured for transmitting light incident from outside to lower electrode.

JONG R W, DU OH B, MOON I, SHINHOSUNG, KWANG P H, MUHAMMAD T

Synthesizing metal sulfides useful for hydrogen generation reaction electrochemical catalysts comprises synthesizing ammonium tetrathiomolybdate; and synthesizing hydrazinium tetrathiomolybdate using synthesized ammonium tetrathiomolybdate.

KIM S Y, HONG S, KIM M, THANDUI H

Catalyst coated with nitrogen-doped graphene quantum dots useful for improving selective catalyst reduction efficiency, comprises vanadium oxide, tungsten trioxide, titanium dioxide, and nitrogen-doped graphene quantum dots.

BAIK J M, CHOI S, RAHULPOLBIA

Method for manufacturing large-area semiconductor device, involves forming semiconductor layer by coating second dispersion in which two dimensional material are dispersed on insulating film.

HOUN K J, KIM J H

Quasi-heterogeneous semiconductor junction multiplication method arithmetic device, has source electrode positioned on first region, where work functions of first and second regions are differently adjusted.

HOUN K J, KIM J H, JUNG M

Forming thin film of transition metal dichalcogenide involves providing substrate in reaction chamber, depositing transition metal dichalcogenide thin film on substrate using sputtering process that uses transition metal precursor and chalcogen precursor and is performing at first temperature.

JUNG J, SOHN A, SHIN H, BYUN K, KIM S, KIM C

Producing nano-catalyst film useful for nano-catalytic electrodes comprises preparing graphene sheet dispersion, forming nanoporous graphene membrane by coating graphene sheet dispersion on filtration membrane and vacuum filtration.

HOUN K J, SEONG C Y

Preparing hydrogel for energy storage device, involves forming pre-gel comprising polymer and metal salt particles, shrinking and dehydrating pre-gel and impregnating shrunk and dehydrated pre-gel with ion solution to cross-link and rehydrate shrunk and dehydrated pre-gel to produce hydrogel.

JI D, KIM J Y, HWAN J D

Method for arranging two-dimensional film-type electronic device on object, involves arranging electronic device to form predetermined angle with object, where predetermined angle is angle at which stress acting in horizontal direction.

TAEIL K, JEONG C H

Preparing graphene useful in transistor, comprises supplying substituted alkyne based precursor to chamber including first zone and second zone, vaporizing or sublimating precursor in first zone, and depositing sublimed precursor.

LEE H Y, SEO S, CHOI J, LEE H