国家/地区 美国（26）
IPC部 B（19） C（19） H（18）
G（5）
IPC大类 C01（18） B82（16） H01（16）
C23（12） B32（11） H05（5）
B01（4） B05（3） G06（3）
B29（2） B41（2） C08（2）
IPC小类 C01B（18） B82Y（15） H01L（13）
C23C（12） B32B（11） H01B（8）
B01J（4） B05D（3） B82B（3）
G06F（3） H05B（3） H05K（3）
B29C（2） B41M（2） C23F（2）
IPC B82Y030/00（13） C01B031/02（13） C01B031/04（13）
B82Y040/00（11） C23C016/26（7） H01L029/16（7）
B32B009/00（6） H01B001/04（6） H01L029/786（5）
B82Y099/00（4） H01L021/02（4） H01L029/06（4）
G06F003/041（3） H01B005/14（3） H01L029/778（3）
发明人 AHN J（26）
公开年 2011（8） 2012（8） 2014（3） 2013（2）
申请年 2011（10）  2012（4）  2010（3）  2013（3）  2009（2）  2015（2） 
专利权人 UNIV SUNGKYU.（13） UNIV SUNGKYU.（10） UNIV SUNGKYU.（8） AHN J（7）
GRAPHENE SQU.（7） SAMSUNG ELEC.（6） SAMSUNG TECH.（6） HANWHA TECHW.（4）
KOREA INST S.（4） UNIV SUNGKYU.（4） HONG B H（3） KIM H K（3）
BAE S（2） BAE S K（2） LEE J（2） LEE S（2）
LEE W（2） UNIV SUNGKYU.（2）

Syringe-injection-type brain signal measurement and stimulation structure, has integrated circuit connected to transceiver to transmit and receive signals, and connection unit is provided for connecting contact unit and transceiver device.

YANG S G, LEE S W, PARK S W, AHN J H, CHAE Y C, KIM J J, SEONGGU Y, LEE S, AHN J, CHEOL C

AA' stacked graphite used as e.g. electrode material comprises graphene stacked the sequence of AA' in which alternate graphene layers exhibiting AA' stacking are horizontally translated by half hexagon from zigzag AA stacking of graphene.

LEE J, LEE S, AHN J, LEE W

Graphene sheet used as electrode material, is grown on graphene growth support comprising carbonization catalyst, and comprises ripple(s) formed using difference in thermal expansion coefficient of support and graphene sheet.

AHN J, HONG B, KIM K

Making graphene structure involves depositing metal layer over silicon carbide substrate, and performing first heat treatment on substrate over which metal layer is deposited to form composite layer and electrically neutral graphene layer.

AHN J, SHIN H, SONG I, AHN J R, SHIN H C, SONG I K

Graphene-layered structure, useful in solar cells, transistor and in transparent electrode, comprises ion implantation layer in silicon carbide thin film, and graphenized silicon carbide surface layer on the ion implantation layer.

SHIN H, CHOI J, AHN J, SEO J

Graphene semiconductor, useful in electrical device e.g. FET, single electron transistor and LED, comprises graphene and a metal atomic layer comprising a metal i.e. sodium disposed on graphene which transfers charge with the graphene.

AHN J, SEO J, PARK J, JEON C, AHN J R, JEON C H, PARK J H, SEO J T

Touch panel, consists of graphene electrode, protection film, insulating film and electrode material formed on substrate.

AHN J

Stable graphene film for graphene transparent electrode for touch screen, comprises graphene film and conductive protective film.

AHN J H, HONG B H, YAN C, AHN J

Preparing graphene-layered structure e.g. epitaxial structure that is useful in e.g. transistor, by implanting nitrogen and oxygen ions on surface of silicon carbide thin film to form ion implantation layer and heat treating the film.

SHIN H, CHOI J, AHN J, SEO J, AHN J R, CHOI J Y, SEO J T, SHIN H J

Electrode, useful in electronic device e.g. organic light-emitting device, organic solar cell or organic memory device, comprises graphene-containing layer, and layer having work function gradient formed on graphene-containing layer.

LEE T, HAN T, AHN J, LEE Y, WOO S, LEE T W, HAN T H, AHN J H, YI Y B, LEE Y B, WOO S H, LI R