国家/地区 美国（5） 德国（4） 英国（4）
IPC部 B（5） H（5） C（3）
IPC大类 B82（5） H01（5） C01（3）
IPC小类 B82Y（5） H01L（4） C01B（3）
B82B（2） H01B（2）
IPC B82Y040/00（4） C01B031/02（3） B82B003/00（2）
B82Y010/00（2） B82Y030/00（2） B82Y099/00（2）
C01B031/00（2） C01B032/00（2） H01B001/04（2）
H01L021/02（2） H01L021/04（2） H01L021/28（2）
H01L029/06（2） H01L029/16（2） H01L029/78（2）
发明人 CHANDRA B（5）
公开年 2013（5）
申请年 2012（5）
专利权人 INT BUSINESS.（5） CHANDRA B（2） TULEVSKI G S（2）

Doping cerium(IV) salt with carbon material comprising carbon nanotubes or graphene, useful for producing a manufacturing article, comprises dissolving cerium(IV) salt, which include e.g. cerium(IV) salt of nitric acid with carbon material.

AFZALIARDAKANI A, CHANDRA B, TULEVSKI G S, AFZALIARAKANI A

Combining cerium salt dissolved in solvent comprising water with carbon material having carbon nanotube or graphene at temperature sufficient to oxidize material to produce non-conducting oxidized material, useful to form an article.

AFZALIARDANKANI A, CHANDRA B, TULEVSKI G, AFZALIARDAKANI A, TULEVSKI G S

Doping of graphene and nanotube thin-film field-effect transistor device for electronic device, involves selectively applying dopant to channel region of thin-film field-effect transistor device to improve electronic mobility.

AFZALIARDAKANI A, CHANDRA B, TULEVSKI G S

Method of doping graphene thin film transistor and nanotube field effect transistor unit, involves selectively introducing dopant on metal contact portion of graphene thin film transistor and nanotube field effect transistor unit.

AFZALIARDAKANI A, CHANDRA B, TULEVSKI G S, XIA F

Forming cleaned nanotube-graphene hybrid thin film on a substrate, comprises depositing the nanotube thin-film over a substrate to produce a layer of nanotube thin-film, and removing impurities from surface of layer of nanotube thin-film.

BOL A A, CHANDRA B, KASRY A, MAAROUF A, MARTYNA G J, TULEVSKI G S