国家/地区 中国（91） 美国（3） 日本（2） 世界知识产权组织（2）
IPC部 C（53） H（25） B（19）
A（9） G（9） D（4）
IPC大类 H01（22） C01（18） C08（10）
C23（9） A61（8） B01（7）
B82（7） B22（5） C03（5）
C09（5） G02（5） A41（4）
C04（4） C22（4） G01（4）
IPC小类 C01B（12） H01L（12） C23C（9）
B01J（7） B82Y（7） C08K（7）
H01M（7） C01G（6） C08L（6）
B22F（5） A61N（4） C03C（4）
C04B（4） C08G（4） C08J（4）
IPC C08K003/04（7） H01M004/36（6） H01M010/0525（6）
C01G039/06（5） C23C016/26（5） H01M004/62（5）
B01J027/051（4） B82Y030/00（4） B82Y040/00（4）
A61N002/08（3） A61N005/06（3） B22F001/02（3）
C01B032/184（3） C04B035/645（3） C08K003/22（3）
发明人 CHEN Z（91）
公开年 2017（54） 2016（33） 2018（4）
申请年 2016（91）
专利权人 UNIV XIAN AR.（9） SHANGHAI INS.（7） JINGJIANG GR.（5） UNIV CHINA E.（5）
UNIV CHANGSH.（4） UNIV QILU TE.（4） UNIV SHANGHA.（4） UNIV GUANGDO.（3）
UNIV XIDIAN（3） CHEN Z（2） CHINA AVIATI.（2） CHINA ORDNAN.（2）
FUJIAN JINJI.（2） JIATE SEMICO.（2） SEMICONDUCTO.（2） SEMICONDUCTO.（2）
UNIV CHINA P.（2） UNIV FUDAN（2）

Preparation of graphene carbon nanotubes composite film for hybrid Schottky diode, involves using substrate whose entire or one surface is graphene catalyst, performing electroplating and carrying out chemical vapor deposition.

YANG L, CHEN Z, XU X, ZHANG J, YIN L, WU H, LIAO W, LI Q, BECK T J

Method for manufacturing semiconductor structure, involves carrying out hydrogenation treatment process by graphene structure to generate energy bandgap on graphene structure, and forming grid dielectric layer on graphene structure.

ZHANG H, CHEN Z

Method for manufacturing graphene FinFET device, involves performing chemical edge modification step on graphene layer, and performing hydrogenation step on graphene layer.

ZHANG H, CHEN Z

Graphene buffer layer structure for power device, has mold connected with pipe core through contacts, structure main body whose different positions are contacted with pipe core, and holding pin connected with pipe core through through-hole.

LU Y, CHEN Z, CHENG Y

Preparation of graphene-coated artificial graphite cathode material used in lithium-ion battery, involves preparing graphene oxide aqueous solution, adding into stainless steel reactor, sealing reactor in blast oven, and reacting.

ZHONG L, XIE Q, DING X, CHEN Z, CHEN R, ZHANG P

Preparing liquid type graphite additive comprises e.g. grading graphene raw material by mechanical grinding or ultrasonic shearing process, adding processed graphene powder into oily medium and then mixing graphene powder and oily medium.

ZENG Y, HUI J, TONG Y, HUI Z, WANG H, CHEN Z, ZHAO L, GENG F, ZHANG T, CHENG H

Paint useful for elimination of abnormal sound of automobile door seal, comprises aqueous polyurethane dispersion, high-molecular aqueous polyurethane emulsion, water, polyacrylic acid dispersion, cosolvent, graphene and black paste.

CHEN Z

Graphene composite armor material comprises silicon, iron, copper, nickel, aluminum, zinc, manganese, and magnesium.

ZHANG H, WANG X, LI J, WANG S, CHEN Z

Packaging structure for merged pin/schottky (MPS) diode, has graphene conductive heat-radiating film formed between upper surface of heat-radiation substrate and bottom surface of chip.

YANG L, CHEN Z, ZHANG J, YIN L, WU H, LI Q, BECK T J

Graphene electric heating fabric waistband, has fabric main body whose graphene surface is fixed with permanent magnets, where permanent magnets and electrode are covered on outer side surface of insulating waterproof layer.

CHEN L, CHEN Z, LIU Y, XIN B