国家/地区 美国（49）
IPC部 H（38） C（24） B（13）
G（5） A（2）
IPC大类 H01（36） C01（12） B82（6）
C23（6） C08（5） C09（4）
B01（3） C25（3） G01（3）
H05（3） B32（2） C04（2）
C07（2） C22（2）
IPC小类 H01L（22） H01M（14） C01B（12）
B82Y（6） C23C（6） C08J（5）
C08L（4） B01J（3） C08K（3）
C09D（3） G01N（3） H01B（3）
B32B（2） C04B（2） C09K（2）
IPC H01L029/16（11） H01M004/134（9） H01L029/66（8）
H01M004/38（8） H01M004/62（8） H01M010/0525（8）
H01L021/02（7） H01L029/786（7） H01M004/36（7）
H01M004/133（6） B82Y040/00（5） C01B031/04（5）
H01M004/02（5） H01M004/13（5） H01M004/583（5）
发明人 CHEN Z（49）
公开年 2021（16） 2015（7） 2022（5） 2014（4） 2016（4） 2017（3） 2013（2） 2023（2）
申请年 2020（10）  2021（9）  2015（6）  2014（4）  2011（3）  2016（3）  2017（3）  2022（3）  2012（2）  2013（2）  2019（2） 
专利权人 INT BUSINESS.（10） CHEN Z（7） NINGDE AMPER.（4） YU A（4）
IND TECHNOLO.（3） PURDUE RES F.（3） TAIWAN SEMIC.（3） ANJU SCI TE.（2）
ENERAGE INC（2） HAN S（2） HASSAN F M（2）

Producing food packaging barrier film used for consumers to clearly see content of packaged goods, involves providing base film, depositing inorganic laminated film on surface of base film, where inorganic laminated film includes at least one first and second inorganic material deposition layer.

CHEN C, TSAO C, LIAO T, LIAO T C, TSAO C C, CHEN C H, CHEN Z, CAO J, LIAO D

Manufacturing field effect transistor used in 2D material as channel layer, forming gate electrode, gate dielectric layer, and channel layer on substrate, forming insulating layer, etching stop layer, and protective layer on channel layer, etching insulating layer, and etching stop layer.

CHEN C, CHEN Z

Transistor for semiconductor device, has channel layer that comprises graphene layer and hexagonal boron nitride sheets dispersed in graphene layer and arrangement directions of hexagonal boron nitride sheets that are aligned and source/drain region next to gate stack that is obtained.

CHEN Z, CHU Z, CHEN T, CHUU C

Dynamic random access memory capacitor has dielectric layer, where dielectric layer comprises high dielectric material layer, and low dielectric loss material layer, and provided on both side surfaces of high dielectric material layer, where low dielectric loss material layer is polyimide.

WANG S, WANG Y, CHEN Z

Atomizing core of atomizer, has heating piece connected on core piece, guide piece connected on core piece, guide piece connected with opening of atomizer main body, and porous graphene adsorption piece is connected on heating piece.

HE L, LI H, CHEN Z, CHEN Z Y, LI H B

Negative electrode active material for use in negative electrode for lithium-ion battery, comprises active particle having silicon and carbon element, and modification layer containing functional group of coupling agent and metal compound.

YEH T, YANG C, CHEN C, LAI G, YE D, CHEN Z, LAI G L, CHEN C C, YANG C R, YEH T J

Mixed fiber preform reinforced composite material useful in three-dimensional mixed-woven polyimide reinforced polyformaldehyde composite material, has e.g. fiber perform, namely three-dimensional fabric woven by two to five fibers.

CHEN Z, XIAO Q, MIAO Y

Characterization of graphene on platinum substrate for e.g. device fabrication, involves coating methylene blue developer on platinum substrate covered with graphene, passing in hydrogen-containing gas, vacuuming, observing substrate color and removing residue of developer.

CHEN Z, ZHANG Y, YU G, KANG H

High-efficiency reproducible nano manganese removing agent used for removing permanganate ion in manganese-containing waste water, includes disodium salt EDTA, ferroferric oxide nanoparticles and reduced graphene oxide surface.

ZENG S, ZHANG Y, ZHAO Y, ZHANG M, LIANG G, LIN W, HUA X, CHEN Z, WU J, ZHOU Q, YIN X

Cathode composite material useful e.g. in cathode pole piece of electrochemical device for electronic device, comprises silicon- boron, nitrogen and oxygen-carbon composite materials with graphene on its surface.

YI T, CHEN Z, CUI H, XIE Y