国家/地区 美国（19）
IPC部 C（14） H（14） B（9）
D（4）
IPC大类 H01（14） C08（9） B82（7）
C01（7） C09（7） H05（6）
D01（3） D06（3） B32（2）
D02（2）
IPC小类 H01L（9） B82Y（7） C01B（7）
C08J（6） C08K（6） H01B（6）
C08L（5） C09K（5） H05K（5）
C09D（4） D01D（3） D01F（3）
D06M（3） B32B（2） C08G（2）
IPC B82Y040/00（5） C01B031/04（5） C08K003/04（5）
B82Y030/00（4） H05K001/03（4） C01B032/194（3）
C08J005/00（3） C08K003/20（3） C08L079/08（3）
C08L101/12（3） C09D179/08（3） D01D001/02（3）
D01D005/06（3） D01F001/09（3） D01F006/14（3）
发明人 KIM S H（19）
公开年 2012（5） 2015（4） 2013（3） 2014（2） 2023（2）
申请年 2012（5）  2014（4）  2013（3）  2011（2）  2022（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（4） UNIV HANYANG.（4） KIM S（3） KOREA INST S.（3）
AN S（2） KUMOH NAT IN.（2） LEE D（2） LG SILTRON I.（2）
SK SILTRON C.（2）

Lithium secondary battery comprises negative electrode current collector; negative electrode layer disposed on negative electrode current collector; intermediate layer disposed on negative electrode layer and solid electrolyte or separator; positive electrode layer disposed on intermediate layer.

CHO S M, LIM J M, KANG H S, KIM S H, KIM S W, CHOI H S, NAM Y J, SUCK C H, CHO S, LIM J, KANG H, KIM S, JIN X, CUI H, NANRONG Z

Semiconductor memory device comprises substrate including active region defined by device separation film, where active region including first portion and second portions, second portions being on two opposite sides of first portion, bit line on substrate and extending across active region.

KIM H, KIM S H, LEE J E, JIN X, KIM S, LI J, KIM H S

Manufacturing ultrathin graphene/polymer film involves layering graphene layer onto polymer layer to form composite film.

ESPINOSALOZA F J, KIM S H, ARACNERUDDLE C, MILLER P E, CAMPBELL P, STADERMANN M

Phase change composite useful in a heat spreader, comprises a structure in which phase change material unit layers and thermal conductive layers are sequentially laminated.

KIM D R, HEU C S, KIM S H, LEE H S, SON H W, KIM D, HO K S, LEEHEUNGSOO

Thermoelectric material for thermoelectric device and thermoelectric module comprises thermoelectric composite structure containing a set of pores, and graphene disposed between the set of pores and doped with a non-metallic element.

LEE H J, KIM S H, KIM Y M, BARK H W

Plasma monic all-optical switch, has graphene layer for transmitting incident beam between first dielectric layer and graphene layer, and pump beam arranged in nano antenna and operated between second dielectric layer and nano antenna.

KIM S H, KIM J H, KIM C, MOON K, SEO M A, WOO D H, LEE S, YI J C, LEE T, CHUNG Y

Process for forming PN junction in graphene layer through deoxyribonucleic acid (DNA) coating, involves forming DNA lamina molecular having base structure of array in order to absorb on second area of graphene layer.

KIM C, KIM Y J, JUNG Y M, JUN S C, LEE T, LEE S, BYUN Y T, WOO D H, KIM S H, SEO M A, KIM J H, YI J C

Preparation method of reduced graphene oxide (RGO) film, involves reducing graphene oxide thin film using chemical reduction method and pressure-assisted thermal reduction method, respectively, to form reduced graphene oxide film.

KIM S H, JANG J, SHIN K, SHIN K H

Molding composition for a semiconductor package comprises a liquid crystal thermosetting polymer resin and graphene oxide.

JI S Y, KIM S H, CHI S, KIM S

Photoluminescence wavelength tunable material, useful in e.g. solar cell and LED, comprises composite comprising metal nanoparticles attached to graphene oxide to vary light emission characteristics of graphene oxide.

KIM J H, JUN S C, OH J Y, LEE S, LEE T, WOO D H, KIM S H, KIM C K, LIM J