国家/地区 中国（27）
IPC部 H（14） C（13） G（9）
B（7） A（2）
IPC大类 H01（14） C01（8） G01（6）
B01（4） C23（4） B32（3）
C08（3） A61（2） B82（2）
C02（2） C07（2） C09（2）
G02（2） H05（2）
IPC小类 C01B（8） H01L（8） G01N（5）
H01B（5） C23C（4） B32B（3）
C08K（3） H01M（3） A61K（2）
B01D（2） B01F（2） B82Y（2）
C02F（2） C08J（2） C08L（2）
IPC C01B031/04（5） C01B032/184（4） H01L029/16（4）
C08K003/04（3） C23C016/26（3） G01N027/30（3）
G01N027/48（3） H01B001/24（3） H01B013/00（3）
H01L027/146（3） A61K047/04（2） B01D067/00（2）
B01D069/12（2） B01D071/02（2） B82Y040/00（2）
发明人 LEE K（27）
公开年 2018（8） 2015（4） 2016（4） 2017（2） 2021（2） 2023（2）
申请年 2017（5）  2018（4）  2013（3）  2014（3）  2015（3）  2016（2）  2020（2）  2022（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（5） LEE K（3） LG CHEM CO L.（3） LG CHEM LTD（3）
UNIV CHUNG Y.（3） SHENZHEN CHI.（2） UNIV HAINAN .（2） UNIV JILIN（2）
UNIV QINGDAO.（2） WANG Y（2）

Image sensor comprises substrate including multiple photoelectric conversion elements, variable filter layer provided on substrate, and multiple micro lenses provided on variable filter layer, which comprises multiple first electrodes in first direction, and having first width in second direction.

JOE I, LEE K, KANG S, JANG M, CHANG M, KANG S K, LEEKWANGMIN, CHO I S, CHO I, LI G

Depositing graphene barrier film, involves placing substrate containing the titanium thin film layer into substrate processing system chamber forming processing space, supplying first reaction gas into chamber, supplying second reaction gas, and forming graphene layer on titanium thin film layer.

PARK J, LI J, JIN D, SUN W, KIM T, YIN Y, TIAN Z, BAK H, PARK J H, LEE K J, KIM D W, SUN W H, KIM T S, YOON W J, JEON J H, PARK H K, PARK H, JEONJINHO, YUN W J, WOO K D, LEE K

Semiconductor device has semiconductor structures with patterns, second conductive pattern that extends in second direction on gate insulation pattern, and second impurity region that is mounted on each of second semiconductor patterns.

HONG J, LEE K, PARK S, KIM I, KIM Y, KIM H, LI J, KIM I K, JIN R, KIM H C, PARK S H, LEE K H

Light emitting display device comprises lower substrate, thin film transistor is provided on lower substrate, passivation layer is provided on thin film transistor, overcoating layer is provided on passivation layer.

SHIN H, LEE K, KIM K, KIM T, KIM J, KIM E, SEO H, KIM G, KIM Y, YAN J, SEOHYUNTAE, KIM E J, KIM J Y, KIM J H, KIM K H, LEE G S, SHIN H D, JIN R, JIN G, JIN E, JIN Z, LI G, SHEN H

Preparation of graphene/hydroxyapatite composite for treating uranium-containing wastewater, involves mixing calcium chloride solution and graphene oxide dispersion, and hydrothermally reacting with diammonium hydrogen phosphate solution.

SU M, HAN W, OU T, LEE K, WU Y, CHEN D

Mass spectrometry apparatus for analyzing a semiconductor wafer, includes hybrid provider which provides zinc oxide-graphene hybrid to predetermined region on semiconductor wafer.

KIM K J, UM K, YOON C S, LEE K, JIN G, YAN J, YIN Z, LI K, KIMKUKJOO, LEE K T, UM K J

Copper-graphene composite coating on an integrated circuit ceramic circuit board surface comprises a conforming coating adopts a gradient layer structure, a transition metal diffusion layer and a transition metal bonding layer.

YANG B, LEE K, LIU Y, WU Z, ZHAO X

Modified electrode for use in e.g. preparing electrochemical sensor device, comprises substrate electrode, platinum-gold three-dimensional graphene composite material, myoglobin molecule and sulfonated tetrafluoroethylene film.

SUN W, YIN C, CHEN W, WENG W, LIU J, LI X, LEE K

Optical sensor comprises first electrode, graphene quantum dot layer, graphene quantum dot layer which comprises multiple of first graphene quantum dots which are bonded to first functional group and multiple of second graphene quantum dots.

LEE J, SHIN H, LEE D, PARK S, LEE K, LEE E, JO S, HEO J, LEE G, LI Y, ZHAO C, HUH J, LEE J H, SHIN H J, LEE D W, PARK S J, LEE K Y, LEE E K, JO S H, HEO J S

Preparing porous silicon coated graphene nano-sustained release drug-loading system comprises ultrasonically cracking single layer of graphene oxide, mixing with polyvinylpyrrolidone, centrifuging, and removing the precipitate.

TENG S, SONG X, LI Z, GUO Z, LEE K, YANG W