国家/地区 中国（58） 美国（4） 韩国（2）
IPC部 C（30） B（17） H（17）
F（5） G（4） E（3）
A（2） D（2）
IPC大类 H01（13） C01（9） B01（8）
C08（8） C09（7） C04（4）
H05（4） B82（3） C07（3）
C23（3） E04（3） F24（3）
G01（3） B08（2） B32（2）
IPC小类 C01B（9） C08K（7） C08L（6）
H01L（6） B01J（4） C04B（4）
C09D（4） H01M（4） B01D（3）
B82Y（3） C08G（3） C23C（3）
G01N（3） B01F（2） B08B（2）
IPC C08K003/04（7） B82Y030/00（3） B82Y040/00（3）
C01B032/186（3） C01B032/194（3） C09D005/08（3）
H01M004/62（3） B01D053/86（2） C04B035/622（2）
C04B035/80（2） C08K003/22（2） C08K009/04（2）
C08K013/06（2） C09D007/61（2） C09D007/62（2）
发明人 YANG H（62）
公开年 2021（42） 2020（17） 2022（3）
申请年 2020（62）
专利权人 GLOBALFOUNDR.（3） BEIJING GRAP.（2） FOSHAN KENTI.（2） GONGYI FANRU.（2）
NINGBO HUAFE.（2） UNIV CHINA E.（2） UNIV NORTH C.（2） UNIV PEKING（2）
UNIV SICHUAN（2） UNIV XIAN JI.（2） UNIV ZHEJIAN.（2） YANG H（2）

Preparing modified graphene/bismaleimide resin involves performing amination of graphene allyl phenol organic matter, thermoplastic resin and bismale imide monomer to polymerization reaction.

LI S, YANG H, ZHAO Z, LIU R

Preparation of ruthenium/phosphorus catalyst used in electrochemical dissociation of water, involves phosphorizing ruthenium-carbon catalyst by mixing ruthenium-carbon catalyst with phosphorus source and organic solvent.

WANG X, ZHANG X, YANG H, BAI L, YU X

Anti-interference anti-corrosion semiconductor integrated circuit, has integrated circuit chip bonded to metal bonding area through metal bonding wire, and radiating assembly mounted above insulating substrate.

XIANG G, XIANG H, YANG H, TANG C, LI Y, XIANG Y

Device for preparing graphene by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), has first region of deposition furnace that is provided with overlapped portion, and second polar plate that is connected to grounding end of plasma source.

LIU Z, WU Q, CAO F, WANG X, WANG K, YANG H, PENG H

Catalyst for synthesizing alicyclic amine through selective hydrogenation and saturation of benzene ring-containing amine compound, comprises active component is ruthenium, and carrier is nitrogen-doped carbon or carbon nitride.

HE P, CAO Y, XU S, LI H, YANG H, WANG L

Double-hole heater for use in graphene device, has connecting groove whose inner part is provided with screw with rod, where end of screw is connected with heating ring by screw thread.

YANG H

Semiconductor device e.g. NAND flash memory device, has gate layers stacked in vertical direction perpendicular to upper surface of substrate and spaced apart from each other on pattern layer, and memory vertical structure penetrating through gate layers in direction.

YANG H, KANG S

High-efficiency heat-transfer type graphene heat-conducting floor, has heating component located at side or bottom of supporting layer, where support layer is located between bottom layer and surface decoration layer.

GONG X, DONG H, YANG H, WU H, YAO D, LIU G, ZHOU L, ZHANG D, LV D, YU Q

Raw material processing device for graphene grease production, has box body whose inner wall is fixedly installed with first motor, where output end of first motor is connected with turntable and surface of turntable is fixedly connected with blade.

WEI R, SHEN Y, YANG H

Intelligent temperature control sunshine room, has transparent roof provided with watering mechanism that is provided with spraying pipe, where spraying pipe is provided with spraying nozzle towards transparent roof.

MA C, YANG H