| 国家/地区 | 中国（8） 美国（3） 日本（2） |
| IPC部 |
C（10）
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| IPC大类 |
C01（10）
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| IPC小类 |
C01B（10）
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| IPC |
C01B032/194（10）
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| 发明人 |
FEI G（4）
WANG C（4）
WANG X（4）
XIN Y（4） YANG T（4） YANG X（4） |
| 公开年 |
2018（10）
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| 申请年 | 2017（5） 2018（5） |
| 专利权人 | UNIV SHAANXI.（4） SEMICONDUCTO.（2） |
CHENG R, LI M, ZHEN Z, ZHENG D, PEI S, DAI L
WANG C, YANG T, XIN Y, WANG X, YANG X, FEI G
WANG C, YANG T, XIN Y, WANG X, YANG X, FEI G
WANG C, XIN Y, WANG X, YANG T, YANG X, FEI G
WANG C, XIN Y, WANG X, YANG T, YANG X, FEI G
BREMS S, HUYGHEBAERT C, VERGUTS K, DE GENDT S
WANG Z, WANG B, CHENG Y, LIU C, YANG H, CHEN Z, YANG L
YAMAKAJI M, YAMAOGI M
ZHAO J, LIU H, YUAN J, CHEN D, LI F, SHEN W