| 国家/地区 | 中国(8) 美国(3) 日本(2) |
| IPC部 |
C(10)
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| IPC大类 |
C01(10)
|
| IPC小类 |
C01B(10)
C07C(6)
C07F(3)
C07K(2) H01M(2) |
| IPC |
C01B032/194(10)
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| 发明人 |
FEI G(4)
WANG C(4)
WANG X(4)
XIN Y(4) YANG T(4) YANG X(4) |
| 公开年 |
2018(10)
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| 申请年 | 2017(5) 2018(5) |
| 专利权人 | UNIV SHAANXI.(4) SEMICONDUCTO.(2) |
CHENG R, LI M, ZHEN Z, ZHENG D, PEI S, DAI L
WANG C, YANG T, XIN Y, WANG X, YANG X, FEI G
WANG C, YANG T, XIN Y, WANG X, YANG X, FEI G
WANG C, XIN Y, WANG X, YANG T, YANG X, FEI G
WANG C, XIN Y, WANG X, YANG T, YANG X, FEI G
BREMS S, HUYGHEBAERT C, VERGUTS K, DE GENDT S
WANG Z, WANG B, CHENG Y, LIU C, YANG H, CHEN Z, YANG L
YAMAKAJI M, YAMAOGI M
ZHAO J, LIU H, YUAN J, CHEN D, LI F, SHEN W
