国家/地区 美国（137） 中国（114） 世界知识产权组织（76） 韩国（68） 日本（61） 欧洲专利局（EPO）（41） 台湾（15） 法国（9） 德国（6） 巴西（5） 加拿大（5） 印度（5） 俄罗斯（5） 新加坡（5） 澳大利亚（4） 西班牙（4） 英国（2） 香港（2） 以色列（2）
IPC部 B（215）
IPC大类 B82（215） C01（193） H01（92）
B32（47） C23（45） B01（29）
B05（22） C09（19） C08（18）
C25（13） C07（12） C30（9）
B44（7） C03（6） G01（6）
IPC小类 B82Y（215）
IPC B82Y040/00（175） C01B031/04（139） B82Y030/00（137）
C01B031/02（115） H01B001/04（36） B82B003/00（31）
C01B031/00（26） C23C016/26（25） B32B009/00（20）
B82Y099/00（16） H01L021/02（15） C08K003/04（14）
H01L029/16（13） B05D005/12（12） B82B001/00（12）
发明人 WANG Y（10） JIANG K（8） LIN X（8）
FAN F Y（7） FAN S（7） HONG B H（7）
XIAO L（7） ZHOU M（7） AHN J（5）
CHOI J（5） FENG X（5） LIN X Y（5）
MUELLEN K（5） SHIN H（5） AFZALIARDAKANI A（4）
公开年 2012（100） 2011（59） 2013（56）
申请年 2011（215）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（10） UNIV SUNGKYU.（9） HON HAI PREC.（8） HONGFUJIN PR.（8）
KOREA INST S.（8） UNIV TSINGHU.（8） HAIYANGWANG .（7） OCEANS KING .（7）
SHENZHEN OCE.（7） CENT NAT REC.（6） INT BUSINESS.（6） SAMSUNG TECH.（6）
HANWHA TECHW.（5） MAX PLANCK G.（5） BASF SE（4） EMPIRE TECHN.（4）
KOREA ADV IN.（4） UNIV SUNGKYU.（4） UNIV ZHEJIAN.（4） COMMISSARIAT.（3）

Manufacture of graphene nanoribbon involves immerging carbon nanotubes in ultra-low temperature tub, injecting immersed carbon nanotubes in liquid water and forming ultra-low temperature tubes by liquid nitrogen.

CHEOL A J, JU K B, JUNG K Y, MIN P S, YEONG L S

Manufacture of nanowire for optical element, involves forming metal microparticles on graphene, and forming nanowire of specific group compound by organometallic vapor phase epitaxy.

TATENO K, SASAKI S, HIBINO H, ZHANG G Q, SHO K

Coproducing carbon nanotube and graphene used in polymer matrix, by decomposition at high temperature of carbon source in gas state, comprises contacting carbon source with catalyst comprising mixture of active catalyst-A and catalyst-B.

BEAUSOLEIL J, SERP P, BACSA R, CAUSSAT B

Producing graphene comprises contacting solid catalyst in divided state comprising mixed oxide with gaseous composition flow comprising carbon source, where solid catalyst has single crystal structure and average crystalline domain size.

BACSA R, SERP P

Preparing graphene i.e. free of metal contamination and magnetic and organic impurities, used to make battery, comprises reacting graphene oxide dispersion in a solvent, with tin compound and optionally with acid compound, and acid washing.

DUBOIS L, GAMBARELLI S, NANJUNDAN A

Isocyanate group-modified carbon material contains diisocyanate compound in which isocyanate group couples with graphene-type carbon material.

WADA T, TSUBOKAWA N, TAKUYA W

Producing graphene nanomesh based charge sensor, by generating holes in graphene to create graphene nanomesh, passivating edge of each hole of mesh, functionalizing passivated edge of each of holes of nanomesh with chemical compound.

AFZALIARDAKANI A, HAN S, KASRY A, MAAROUF A, MARTYNA G J, NISTOR R, TSAI H

Formation of patterned graphene layer on substrate used for low-noise amplifier, involves forming patterned structure(s) of carbide-forming metal or metal-containing alloy on substrate, applying layer of graphene and heating.

AFZALIARDAKANI A, MAAROUF A, MARTYNA G J, SAENGER K, AFZALIARDAKANI A C O I

Making graphene nano-sheets, by placing expandable graphite within chamber, applying vacuum to the chamber, and applying electric current to induction heat expandable graphite within chamber under vacuum to form expanded graphite.

WU Y, GARDNER S J, YU Y

Attracting positively and negatively charged nanoparticles using graphene nanomesh to assemble nanoparticles, comprises creating graphene nanomesh by generating holes in graphene and passivating holes to form charged ring in nanomesh.

AFZALIARDAKANI A, MAAROUF A, MARTYNA G J