国家/地区 中国（84）
IPC部 C（84）
IPC大类 C08（25） C09（21） C01（15）
H01（14） C22（10） B22（9）
B01（8） C04（7） C02（6）
C23（6） C25（6） B33（4）
G01（4） G21（4） B29（3）
IPC小类 C08K（18） C08L（17） C01B（15）
C09D（14） B22F（9） C22C（9）
C08J（8） C04B（7） B01J（6）
C02F（6） C08G（6） C23C（6）
H01M（6） C08F（5） C25D（5）
IPC C08K003/04（17） C09D007/61（8） C09D163/00（6）
C01B032/184（5） H01M010/0525（5） B01J020/30（4）
B33Y070/10（4） C02F001/28（4） C08F220/06（4）
C08K003/22（4） C08K009/06（4） C09D005/08（4）
C09D007/62（4） C09D007/65（4） C09D133/00（4）
发明人 CHEN Z（84）
公开年 2022（84）
申请年 2022（52）  2021（27）  2020（5） 
专利权人 CHINA NUCLEA.（3） UNIV NANJING.（3） UNIV WUYI（3） XINHUA ZHONG.（3）
CHEN Z（2） UNIV HAINAN（2） UNIV NINGBO .（2） UNIV SOOCHOW（2）
UNIV SOUTH C.（2） UNIV TAIZHOU（2） UNIV XIAN JI.（2） UNIV XIAN TE.（2）
XINWANGDA EL.（2）

Electric wire and cable material with antistatic effect comprises polyethylene oxide, polyol, acrylate acrylic resin, iron oxide powder, composite auxiliary agent, N-methylpyrrolidone, wetting and dispersing agent, nano titanium dioxide and graphene powder.

FANG L, CHEN Z

Polyimide-inorganic fiber cross-linked coupling insulating pull rod, formed by compounding epoxy resin and fiber fabric layer.

XU Z, CHEN Z, CHEN Y, LIN L

High fire-resistant and flame-retardant polyethylene pipe material used for domestic and overseas shipping and shipbuilding markets, comprises polyethylene-modified resin which is graphene-modified polyethylene, and additive.

CHEN Z, CHEN J, PAN X

Method for improving multi-layer graphene coverage rate on copper-based alloy substrate comprises annealing copper base alloy substrate, introducing carbon source to graphene growth after annealing, realizing multi-layer graphene, quickly cooling to room temperature, ending growth.

CHEN Z, XIAO R, YU G, ZHANG Y

Lubricating oil containing modified graphene material prepared by e.g. adding silane coupling agent, modified graphene and lubricating oil additive into reactor, stirring at high speed, adding lubricating oil and stirring at high speed to obtain lubricating oil containing modified graphene material.

LU M, WANG Z, SONG L, CHEN Z

Transistor for semiconductor device, has channel layer that comprises graphene layer and hexagonal boron nitride sheets dispersed in graphene layer and arrangement directions of hexagonal boron nitride sheets that are aligned and source/drain region next to gate stack that is obtained.

CHEN Z, CHU Z, CHEN T, CHUU C

Preparing silicon nitride ceramic copper-clad plate for semiconductor component, involves weighing raw material alpha-silicon nitride, beta-silicon nitride, silicon carbide and sintering auxiliary agent, using silicon nitride graphene ball milling modification, and preparing mixed powder.

TAN C, LIU W, CHEN Z, ZHANG C, LIN W

Modified resin used for fiber-reinforced polymer rib, comprises graphene oxide, vinyl resin and curing agent.

CHEN Z, SU W, WANG Y, WANG L, XIN Z, JIANG J, WANG F

Tris(2,2'-bipyridyl)ruthenium(II) (Ru(bpy)32+) anode or cathode co-reactant, which are gold-reduced graphene oxide (Au-rGO) composites, where particle size of gold nanoparticles in anode and cathode co-reactant has specific value.

ZANG G, WANG J, LEI Z, CHEN Z, HU K, LEI H, DENG Z, KANG Z, WANG S

Controllable preparation method of palladium-based hydrogen sensitive material, involves loading palladium nano-particles on graphene film by self-reduction deposition method at room temperature and immersing film on substrate in chemical plating solution.

LIU H, ZHANG P, LU Z, ZHANG J, CHEN Z, GUO J, YANG C, CHENG Q, LEI H, SONG T, LIN W, CAO C, CAO X, LIU M, PING X