国家/地区 中国（126） 美国（87） 韩国（73） 日本（61） 世界知识产权组织（61） 欧洲专利局（EPO）（21） 台湾（16） 德国（7） 英国（3） 俄罗斯（3） 新加坡（3） 西班牙（2） 印度（2）
IPC部 C（240）
IPC大类 C01（240） B82（98） H01（83）
C23（42） B01（40） B32（34）
B05（13） C08（10） C03（7）
C09（7） C25（7） C30（5）
B44（4） C02（4） C04（4）
IPC小类 C01B（240）
IPC C01B031/04（148） C01B031/02（126） B82Y040/00（81）
B82Y030/00（58） C23C016/26（28） H01B001/04（23）
C01B031/00（19） B32B009/00（18） B82B003/00（16）
H01B013/00（11） H01L021/02（11） B01J019/08（8）
H01G011/36（7） H01L021/20（7） H01L029/16（7）
发明人 WANG Y（10） ZHOU M（10） JIANG K（8）
LIN X（8） FAN F Y（7） FAN S（7）
XIAO L（7） WON D K（6） LI L（5）
LIN X Y（5） LIU J（5） WON D（5）
YAN J（5） CHEN J（4） HONG B H（4）
公开年 2012（240）
申请年 2011（240）
专利权人 HANWHA TECHW.（8） HON HAI PREC.（8） HONGFUJIN PR.（8） SAMSUNG TECH.（8）
UNIV TSINGHU.（8） SAMSUNG ELEC.（7） CHINESE ACAD.（6） HAIYANGWANG .（6）
KOREA INST S.（6） PANASONIC CO.（5） UNIV SOUTHEA.（5） UNIV SUNGKYU.（5）
KOREA ADV IN.（4） OCEANS KING .（4） CHINESE ACAD.（3） ELECTRONICS .（3）
EMPIRE TECHN.（3） HUNAN INST S.（3） NAT INST MAT.（3） SHENZHEN OCE.（3）

Method for manufacturing graphene used in solar cell, involves heat-treating deposited mixed thin film on semiconductor substrate at specific temperature for preset time.

CHOI S H, YANG S B, KIM S

Method for manufacturing display device e.g. flat-panel display device, involves forming first substrate into anti-static layer consisting of graphene thin film.

HEON K T, HONG K C, HYEON P J, HYE K J, HYUN P J

Tuning method of interlayer spacing in graphene oxide composites used for hydrogen storage, involves chemically-dissecting graphite powder using oxidizing agents, and supplying carbon dioxide into interlayer spacing of composite.

JIN P S, I L S, SOO J P, SEUL Y L

Device for preparing graphene, has reaction container whose upper portion is provided with air inlet and air outlet respectively, and reaction material feeding portion is connected with reaction chamber.

YUAN X, WANG Y, ZHOU M

Low pressure shovel for e.g. steam turbine in airplane engine, has blade root connected to shovel blade and closing shovel blade in extension that is in radial alignment regarding axis, where shovel is made of monocrystalline graphene.

HAJE D

Graphene used for electrical storage apparatus and electric equipment, has specified number of defect density, and oxygen atom bonded with carbon atom.

HIROHASHI T

Production of graphene involves pumping reaction pipe, cyclone, and collection portion in conduction thermal plasma device, producing plasma, injecting quenched gas from upper side of reaction pipe, heat-decomposing, and cooling.

KIM J H, HWANG K T, MIN K S, CHO W S, KIM K J

Graphene transfer involves forming graphene on both sides of metallic catalyst component, arranging carrier in graphene, exposing graphene, removing catalyst component from exposed portion, and transferring graphene to substrate.

NA D H, YOON J H

Forming graphene, comprises flowing inert gas through chamber including graphite oxide disposed in it under first reaction conditions and exposing graphite oxide to hydrogen under second reaction conditions.

RAMAPRABHU S, KANIYOOR A, BABY T T

Copper foil for manufacturing graphene for e.g. separator of fuel cell, comprises copper having specified purity.

ONO T, CHIBA Y