国家/地区 中国（128） 美国（56） 世界知识产权组织（49） 韩国（39） 日本（28） 台湾（27） 欧洲专利局（EPO）（14） 印度（12） 澳大利亚（7） 英国（6） 加拿大（2） 德国（2）
IPC部 C（224）
IPC大类 H01（224） C01（92） C23（64）
C09（50） B82（34） C08（32）
C30（27） H05（24） G01（14）
C04（13） B32（10） C07（8）
C25（8） B29（7） C22（6）
IPC小类 H01L（224）
IPC H01L021/02（42） C23C016/26（29） H01L023/373（29）
B82Y040/00（25） C01B032/186（24） B82Y030/00（21）
C01B032/182（20） C01B032/194（19） H01L029/16（19）
C08K003/04（17） H01L031/18（15） H01L021/768（14）
H05K007/20（14） C01B032/184（13） C30B025/18（13）
发明人 WANG H（9） ZHANG X（8） LI P（6）
LI Y（6） LIU J（6） SHIN H（6）
GUINEY I（5） GUO X（5） SHIN H J（5）
WANG J（5） BYUN K（4） CAI S（4）
CHEN Y（4） DIXON S（4） JIA C（4）
公开年 2021（106） 2022（101） 2023（17）
申请年 2021（224）
专利权人 SAMSUNG ELEC.（8） FUJITSU LTD（6） APPLIED MATE.（5） PARAGRAF LTD（5）
UNIV NANKAI（5） NANTONG QS O.（4） TOKYO ELECTR.（4） UNIV PEKING（4）
ZHEJIANG ZHO.（4） CALIFORNIA I.（3） GUANGDONG SU.（3） LINTEC CORP（3）
UNIV SHANGHA.（3） UNIV SINGAPO.（3） UNIV SUNGKYU.（3） BEIJING WEIM.（2）
CEC COMPOUND.（2） CHINESE ACAD.（2） CTRON ADVANC.（2） HANGZHOU ANY.（2）

Method for fabricating two-dimensional channel transistor involves growing hexagonal-boron nitride layer on substrate, selectively etching hexagonal-boron nitride layer by exposing hexagonal-boron nitride layer to sulfur hexafluoride plasma gas, and treating etched layer in potassium hydroxide.

SHRIVASTAVA M, RAWAT J S, MEERSHA A

Depositing gate dielectric on two-dimensional material involves depositing seed layer over atomically smooth surface of two dimensional material, evaporating predefined thickness of seed layer from atomically smooth surface, and performing atomic layer deposition.

SHRIVASTAVA M, KHANEJA M, MEERSHA A

High temperature furnace tube for use in semiconductor process, has supporting plate distributed with multiple layers for supporting multiple substrates, where each substrate is placed on each layer of supporting plate.

WANG H, ZHANG S, SHEN H, LV C, ZHOU D, KIM J, PARK J S, WANG J, JIA S, ZHANG X, KIM Y

Manufacturing semiconductor useful in filed of power conversion devices, electric and electronic systems, comprises e.g. implanting dopant into semiconductor, capping material into two-dimensional honeycomb, and heat treating.

KIMSEONGJUN, KANG M J, SHIN H K, LEE N S, JAE P Y, SUNG M J

Method for generating white light using white light-emitting quantum dots, involves mixing naphthalene and heteroatom co-doping compound, fabricating heteroatom co-doped graphene quantum dots from obtained mixture, and generating white light using obtained white-light emitting quantum dots.

SAGAR V K, BISHT P B

Heat dissipation sheet useful for display component comprises heat dissipation layer formed of polymer sheet containing graphene particles, and first adhesive layer located on top of heat dissipation layer.

YOO T H, LEE J, JOH B J, PARK M W, PARK M, CHO B, LIU T

Manufacturing optical device by forming resist of predetermined shape on multilayer graphene, and processing multilayer graphene together with resist, removing resist covering, and providing electrode covering exposed inclined end face of multilayer graphene.

KONDO D, HAYASHI K, ASO H

Black photovoltaic backplane for preparing photovoltaic cell, comprises photovoltaic backplane substrate, black coating and protective layer stacked in sequence.

FENG Z, LU S, WANG Y

Polydimethylsiloxane composite for heat dissipation/flame retardancy in field of automobiles and electrical/electronic comprises metal hydroxide-coated carbon body as filler based on polydimethylsiloxane.

SHIM S E, HWANG S, SO J, LEE K

Improved electromagnetic interference (EMI) shielding composition for synthesizing zinc ferrite nanoparticles ferrites by co-precipitation method, comprises composites containing graphene oxide blended ferrites.

BASU S, NAIR R U, SAHU A K, PATTNAIK S, CHOUDHURY B, MOHAPATRA M